本文结合IGBT在电磁炉中的典型应用.docVIP

本文结合IGBT在电磁炉中的典型应用，对其工作原理作了详尽的分析，利用指针式万用表对其进行静态和动态测量作一讲述。? ???1．IGBT的结构? ???IGBT管是功率场效应管与双极性晶体三极管(NPN 或PNP)复合后的一种新三极管，其输入管为绝缘栅场效应晶体管，输出管为双极性晶体三极管，内部结构及对应的电路符号如图1所示。? ?输入管的漏极通过一只电阻与输出管的基极相连。输入管的源极与输出管的集电极并接在一起构成IGBT管的发射极e，输入管的栅极仍为IGBT管栅极G，输出管的发射极成为IGBT管的集电极C。从图1可以看出，NPN型的IGBT管内部配接的是PNP型的三极管，PNP型的IGBT管内部配接的是NPN型的三极管。 IGBT管一旦导通，由于栅极电流恒为零。所以集电极电流与发射极电流相等，即Ie=Ic。对于绝缘栅双极性场效应晶体管的命名，现在还没有统一的方法及规定，常用的NPN型IGBT管型号有：GNl2050E、GNl2030E等。? ? ??IGBT管制作时，在其内部c、e极之间并接一只二极管，就构成带阻尼的场效应晶体管。它主要用在与感性器件相连的开关、脉冲电路中，且多为NPN型。其内部结构、电路符号如图2所示，常用的型号有：GT40T301； IRG4ZH70VD、FGA25N102等，外形图如图3所示。? ???2．IGBT的特性 ??? ?IGBT管工作时，用栅极电压控制内部场效应管导电沟道的形成。进而控制集电极、发射极电流的大小。其工作电流一般都在20A以上，功率在1kW以上。目前，IGBT的 控制电压高于3V即可，最高工作频率已超过150kH，最高 反压Vcbs大于1700v，Ioa已超过800A，PCM已达 3000W，Ton小于50ns。IGBT管广泛用于大功率电压谐振变换电路中，如电磁炉、汽车电子点火器、变频器等产品。3．IGBT的典型应用图4为IGBT管在电磁炉中的典型应用简图。电路包括四部分：主电源整 流滤波电路、电磁调 振回路L2、C3 滤波得到的约300V电压，经过L2、C3组成的谐振回路加到T1的集电极C，回路得到能量产生LC电磁振荡，L2中的高频电流产生交变的磁场，饭锅处在线圈的上部，金属锅底处在磁场中将产生涡流。发出热量对食物加热。 ??? ?T1在栅极控制脉冲的作用下处于开关工作状态。当栅极为高电平时，T1导通电流经L2、C3组成的谐振回路流过，并给回路提供和补充能量，使振荡加强；当栅极为低电平时T1截止。L2、C3回路内进行衰减的电磁振荡，自身能 量逐渐变小；到下次T1导通，并联谐振回路再次接受能量 使振荡加强。这两个过程循环往复，从而实现了电磁炉的持续加热。T1导通时，L2、C3谐振回路从电源吸收能量．而吸收能量的多少取决于T1每次导通时间，要调节加热功率，只需调节T1栅极开关脉冲的宽度即可。 ? ???以晶体管Q1、Q2为中心组成的互补型开关脉冲功率驱动电路，将脉冲放大后经R3加到T1的栅极，由于在T1的栅极与发射极间存在着容量达几千PF的寄生电路，尽管栅极无需供电电流，但在驱动脉冲电压的上升及下降沿到来时，需通过栅极提供数安的充放电电流，才能满足开通和关断T1的动态要求，这就要求它的驱动电路必须输出一定的峰值电流。具体工作过程为：当控制信号为高电 平时，Q1导通，18V的电源通过R2、R3对控制栅极的寄生电容充电，当控制极电压大于开启电压时T1导通；当控制信号为低电平时(对地为负)，Q2导通。寄生电容通过R3、Q2放电，当控制极电压低于开启电压时T1截止。由于G、e极之间的寄生电容较小，开关脉冲功率驱动电路的驱动电流较大，故T1的开关速度较高，与输入脉冲相比T1导通和截止的在时间延迟上很小。 ? ???该电路要求T1承受较高的反峰电压。T1导通时c—e 之间压降很小。只有零点几伏，T1截止后．由于加热线圈上电流发生剧变，故其上会产生较大的自感电动势，该电动势与电源电压串联相加后，施加到T1的C极，远大于电源电压，平时要求T1的耐压要超过1200V。T1内的阻尼二极管在L2、C3谐振期间起续流作用， 即在LC振荡持续到1／2～3／4周期期间，L3上的自感电动 势对C3反方向充电至电源电压后，阻尼管得到正向偏压而导通，释放L3、C3振荡电路的部分能量以达到对振荡限幅衰减的目的。??? ?4．IGBT的测量? ?? ?由于IGBT管由场效应管和晶体三极管复合而成，因此测量时应立足于场效应管内部沟道的形成与否，以及晶体管PN结的单向导电性。? ? ??(1)NPN型管的测量测量前将G、C、e三个电极短接 一下，将指针式万用表拨到Rx1k挡，测极与极之间电阻时会发现电阻均为无穷大，若此时发现某两极之间电阻特别小，表明内部有击穿现象；然后将万