高精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计.pdfVIP

2009年 11月 四川大学学报( 自然科学版) Nov ．2009 第4 6卷 第6 期 Jour na l of Si c hu an Uni ve r s i t y (Nat ur al Sc i e nce Edi t i on) V01 ．46 No ．6 doi ：103969 ／ ．i s sn ．0490—6756 ．2009 ．06 ．026 ·- ．】 ‘ 【] 同 精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计 王开贤，邬齐荣，高 鑫，李美光，汤恩松 ( 四J I I 大学物理科学与技术学院微 电子技术 四川省重点实验室 ，成都6 10064) 摘 要：设计一种 高精度轨对轨CMOS峰值检测电路．基于信号 “先缩小后放大”，在MOS采 样开关管控制下电源对存储 电容充电，该 电路实现了轨对轨峰值检测，降低 了检测 电路的工作 电流 ，提高了MOS开关管 的速度和峰值检测 的精度．该 电路设计基于CSMC 0 ．5 kt m CMOS 工艺 ，采用了5 V单电源，检测精度 小于 1 mV，检测 电压范围为0～5 V，整个检测电路的静 态电流消耗为2 mA，正常工作频率为0．1 Hz～ 10 KHz． 关键词 ：峰值检测；轨对轨 ；采样 ；CMOS差动放大器 ；同相 比例运算 电路 中图分类号：047 文献标识码 ：A 文章编号：0490—6756(2009) 06—1702—07 r ai l - ·t o 。。r ai l CMOS det ect or c i r cui t Hi gh- 。pr e ci si on p eak des i gn W- ANGKai —Xi an ，WUQi —Rong ，GAOXi n ，LI Mei —Guang ，丁ANG En— Song ( Mi cr o- el ect r oni cs Technol ogy Si c hu an Ke y La bor at or y，Sc hoo l of Ph ysi ca l Sc i e nce a nd Te chnol ogy ，Si c hu an Uni ve r s i t y ，Ch en gdu 6 10064，Chi n a ) Abst r a ct ：A h i gh—pr e ci si on r ai l —t o—r a i l CMOS peak det e ct or ci r cui t i s de si gn ed．Base d on t h a t t he s i gnal i s zoomi n g out an d i n ，an d t h a t t he powe r suppl y can char ge t he st or age capaci t ance und er t he c ont r ol by MOS sampl e s wi t ch，t he ci r cui t coul d a chi eve r ai l —t o—r a i l pea k det e ct or ，l ower t he wor k i n g cur r ent of t he det ect i