多晶钙钛矿锰氧化物的异常各向异性磁电阻效应.docVIP

南 开 大 学 本 科 生 毕 业 论 文（设 计） agnetoresistive effect in polycrystalline perovskite manganese oxides 学 号：___ 0610286_______ 姓 名：___ 杨智唤______ 年 级：__ 2006级________ 专 业： 材料物理 系 别：_ __ 学 院：___ _物理科学学院 指导教师：李润伟研究员/孙同庆副教授 完成日期：__ ___2010年5月__ _____ 摘 要 基于各向异性磁电阻效应（AMR）的金属薄膜，可以制成AMR磁性传感器领域但较低的磁阻数值已经成为了AMR技术的发展瓶颈。钛矿锰氧化物中异常各向异性磁电阻效应发现，磁阻数值让人们看到了突破这一技术瓶颈的希望。然而，目前在钙钛矿锰氧化物中发现较大AMR值的温度都在室温以下所以，提高钙钛矿锰氧化物中较大AMR值出现的温度具有重要的意义。钛矿锰氧化物中异常各向异性磁电阻效应金属-绝缘体LaxCa1-xMnO3体系有较大AMR效应但金属-绝缘体变温度低于室温LaxSr1-xMnO3体系