ZnO薄膜的结构性质及其制备.doc

ZnO薄膜的结构性质及其制备 邵丽琴 摘要:氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、表面声波元件以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。ZnO薄膜的制备方法多样，各具优缺点。本文综述了ZnO薄膜的制备及性质特征，并对其发展趋势及前景进行了探讨。 关键词：ZnO薄膜；制备；性质；发展前景 引言 近年来，新一代的宽带隙半导体材料ZnO吸引了人们的目光。ZnO是II—VI族直接带隙半导体，室温