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《数字大规模集成电路》期中复习提纲 电路类型 静态特性 动态特性 互连线 寄生电容类型及随工艺变化趋势，各 集总RC线的延时计算（Elmore延时），分 种介质材料电阻率的相对大小 布rc线的延时特征 PN 结二 一阶近似模型 等效结电容的概念 极管 MOS管 各种工作状态的界定及电流公式，衬 MOS管电容模型（掌握成因和类型，不 偏效应及公式，沟长调制效应，二阶 要求计算） 效应的概念 CMOS 反 VTC 曲线，开关阈值，噪声容限，VTC 传遍延时随电压的变化趋势，反相器链 相器 曲线随电源电压、工艺偏差或器件尺 的延时优化 寸的变化趋势 CMOS 组 电路构造规则，晶体管尺寸设计，VTC 传遍延时随输入组合的变化趋势，组合 合逻辑 曲线随输入组合的变化趋势 逻辑链的延时优化及相关概念 有比逻辑 电路结构及优缺点，DCVSL 电路结构 负载管对延时的影响 及优缺点（负载管交叉连接导致的有 比逻辑现象） 传输管逻 电路结构及优缺点，阈值损失问题， 传输门链的延时优化 辑 传输门电路及特点 动态逻辑 电路结构、工作原理及优缺点，阈值 TpLH、TpHL和预冲时间，信号完整性问 电压和噪声容限的分析，多米诺逻辑 题 和NP-CMOS动态逻辑 电路评价指标：芯片成本、电路延时、电路功耗，掌握定义、会计算 功耗优化：动态功耗、短路功耗和静态功耗的定义和计算，理解各电路因素对功耗的影响并 能有针对性地进行优化，掌握开关活动性（翻转概率）的计算和优化，理解功耗与速度的折 中关系（降低电压会导致功耗和速度同时下降） 工艺缩放：器件参数和指标在恒定电场或恒定电压条件下的缩放规律，局部互连线和全局互 连线的缩放规律 计算方法：大信号情况下可取两端点值求平均以近似等效连续变化的物理量 期中考试时间：11月6号（周二）上午9:00~11:00，考试地点：CI-101、CI-102 题型与平时作业相类似，大概有7~8道大题，闭卷，可带计算器 期中答疑时间：11月4号（周日）上午9:30~11:30、下午14:30~17:30，地点：H303B 除此之外，任课老师上班时间基本上都在H303B ，可随时答疑 作业上的问题建议先找助教（王亚伟，H305E ）答疑，仍有疑问者再找任课老师 小考而已，请大家放轻松，并祝大家考试顺利！