1.1 电力电子器件概述 1.2 电力二极管 1.3 晶闸管.pptVIP

1.1 电力电子器件概述 1.2 电力二极管 1.3 晶闸管  1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 电力电子器件组成的应用系统 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 电力电子器件 1.概念 1）主电路（Power Circuit） -----在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）电力电子器件（Power Electronic Device） -----可以直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 2.分类 不可控器件（电力二极管等） 半控型器件（普通晶闸管SCR等） 全控型器件（GTR,GTO,IGBT,Power MOSFET等） 3.同处理信息的电子器件相比的一般特征： 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 电力电子器件组成的应用系统 电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路、检测电路和以电力电子器件为核心的主电路构成的一个完整的系统。 1.1.2 电力电子器件组成的应用系统 1.1.3 电力电子器件的分类 按照电力电子器件能够被控制所实现控制的程度分为下列三类： 不可控器件(Power Diode) ----不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需 要驱动电路。 半控型器件（Thyristor） ----通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断 全控型器件（IGBT,MOSFET) ----通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 1.1.3 电力电子器件的分类 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号的性质，我们又可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类： 电流驱动型 ----通过从控制端注入或者抽出电流来实现导 通或者 关断的控制。 电压驱动型 ----仅通过在控制端和公共端之间施加一定的 电压信号就可实现导通或者关断的控制。 1.2 不可控器件—电力二极管 1.2.1 电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性与参数 一、电力二极管的伏安特性 二、电力二极管的开关特性 三、电力二极管的主要参数 1.2.2 电力二极管的基本特性与参数 一、静态特性（伏安特性） 1.2.2 电力二极管的基本特性与参数 二、 动态特性 （开关特性） 1.2.2 电力二极管的基本特性与参数 1.2.2 电力二极管的基本特性与参数 三、电力二极管的主要参数 1.2.2 电力二极管的基本特性与参数 3、反向重复峰值电压URRM 指器件能重复施加的反向最高峰值电压（额定电压）。此电压通常为击穿电压的2/3。使用中通常按照电路中电力二极管可能承受的反向峰值电压的两倍来选定此项参数。 1.3 单结晶体管 1.3.1 单结晶体管结构原理 1、单结晶体管的结构及特性 单结晶体管也称为双基极二极管，其结构、等效电路及符号如图1-3-1 （2）特 性 2.单结晶体管自激振荡电路 自激振荡电路的周期T为充电时间常数τ1和放电时间常数τ2之和 。 充电过程中 ue＝uc＝U(1-e-t/τ1 ) 调节电阻Re就能改变自激振荡电路的振荡频率。当Re增大时，输出脉冲的频率减小，脉冲少；当Re减小时，频率增大，脉冲多。但是，频率调节有一定的范围，Re不能选的太大，也不能太小，否则单结晶体管自激振荡电路均无法形成振荡。 若使电路保持振荡，Re必须满足以下条件： 输出电阻R1的大小直接影响输出脉冲的宽度和幅值，所以，选择R1必须保证可靠触发晶闸管所需的足够的脉冲宽度，通常R1取50～100Ω。电阻R2用来补偿温度对UP的影响，即用来稳定振荡频率的，R2通常在200～600Ω之间。电容C的取值与脉冲宽度及Re的大小有关，通常取0.1～1μF。 1.3 半控型器件-晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构及工作原理 一、晶闸管的结构 二、晶闸管的工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数 一、晶闸管的伏安特性 二、晶闸管的主要特性参数 1.3 半控型器件-晶闸管 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR），也称为可控硅，是能够承受高电压、大电流的半控型电力电子器件。 1.3 半控型器件-晶闸管 晶闸管这个名称往往专指普通晶闸管（SCR），但随着电力电子