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《材料科学基础》习题 第一章 材料的结构 1．试说明一个面心立方等于一个体心正方结构。 2．在立方系中绘出｛110｝、｛111｝晶面族所包括的晶面，及（112）和（10）晶面。 3．求（121）与（100）所决定的晶带轴和（001）与（111）所决定的晶带轴所构成的晶面的晶面指数。 4．计算面心立方结构（111）、（110）与（100）面的面密度和面间距。 5．FeAl是电子化合物，具有体心立方点阵，试画出其晶胞，计算电子浓度，画出（112）面原子排列图。 6．合金相VC、Fe3C、CuZn、ZrFe2属于何种类型，并指出其结构特点。 第二章 晶体缺陷 1．铜的空位生成能1.7×10-19J，试计算1000℃时，1cm3铜所包含的空位数，铜的密度8.9g/cm3，相对原子质量63.5，玻尔兹曼常数K=1.38×10-23J/K。 如图2-1所示的位错环，说明各段位错的性质，并指出刃位错多余半原子面的位置。 2．如图2-2，某晶体滑移面上有一个 柏氏矢量为b的位错环，受到均匀切应力τ作用，试分析： 该位错环各段位错的结构类型； 求各段位错所受的力； 在τ的作用下，位错环将如何运动？ 在τ的作用下，位错环稳定不动，其最小半径应该多大？ 3．画图说明F-R位错源位错增殖过程。 4．证明位错密度ρ和弯曲晶体曲率半径R的关系为ρ=。 5．图3-1表示两个被钉扎的刃位错A-B、C-D，它们的长度均为x，且具有相同的位错线方向和柏氏矢量，每个位错都可作为F-R位错源。假定这两个位错正在扩大，试问位错环在交互作用时，是将位错运动钉扎住，还是形成一个大位错源？如果能够形成一个大位错源，试问该大位错源开动所需临界切应力有多大？ 第三章 纯金属的凝固 1．若液态金属中形成一球形晶核，试证明临界晶核形成功△Gc与临界晶核体积Vc的关系为△Gc=－。 2．分析纯金属生长形态与温度梯度的关系。 4．细化铸件晶粒的途径有那些？为什么？ 5．液态金属结晶时需要过冷，那么固态金属熔化时是否会出现过热？ 第四章 材料的相结构与二元相图 1．何为成份过冷？影响成份过冷的因素有那些？试述区域提纯的原理。 2．简述枝晶偏析形成过程和消除方法。 3．分析0.45%C，1.2%C和2.3%C 的铁碳合金的平衡结晶过程，计算室温下组织组成 物的相对量及两相相对量。 4．根据显微组织分析，一灰口铁内石墨的体积占12%，铁素体的体积占88%，试求该合金的碳含量。 5．简述铸锭三区的形成机理，采用什么方法可使柱状晶更发达？采用什么方法可使中心等轴晶更发达？ 6．钢中有那些常见杂质？何为钢的“热脆” ？何为钢的“冷脆”？如何防止？ 第五章 三元相图 1．固态下完全不互溶的三元共晶相图如图6-1所示，分析O与合金的结晶过程，画出冷却曲线、结晶示意图、注明反应式，并计算室温下组织组成物的相对量。 2．固态下完全不互溶的三元共晶相图如图6-2所示，画出过Am、PQ的垂直截面。若三组元的熔点tA＞tB＞tC，请画出tB ＜t＜tA温度下的水平截面。 3．液相面投影图如图6-3，分析O合金的结晶过程，画出冷却曲线、结晶示意图、注明反应式，并计算室温下组织组成物的相对量。 4．液相面投影图如图6-4，请写出全部四相平衡转变。 第六章、扩散 1．在钢棒的表面，每20个铁的晶胞中含有一个碳原子，在离表面1mm处每30个铁的晶胞中含有一个碳原子，知铁为面心立方结构( a=3.65A),1000℃时碳的扩散系数为3×10-11m2／s，求每分钟内因扩散通过单位晶胞的碳原子数是多少? 2．在恒定源条件下820℃时，钢经1小时的渗碳，可得到一定厚度的表面渗碳层，若在同样条件下．要得到两倍厚度的渗碳层需要几个小时? 3．在不稳定扩散条件下800oC时，在钢中渗碳100分钟可得到合适厚度的渗碳层，若在1000C时要得到同样厚度的渗碳层，需要多少时间（D0=2.4×10-12m2／sec：D1000℃=3×10-11m2／sec）? 4．在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单品中，若在1600K温度下．保持硼在硅单品表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散)，要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃=8×10-12cm2/sec；当时，）？ 5．Zn2+在ZnS中扩散时，563℃时的扩散系数为3×10-14cm2/sec;450℃时的扩散系数为1.0×10-14cm2/sec，求： 1）扩散的活化能和D0； 2）750℃时的扩散系数。 6．实验册的不同温度下碳在钛中的扩散系数分别为2×10-9cm2/s(736℃)、5×