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笔记本内存发展及主流产品介绍 一、内存的分类 按照内存储器的工作特点分类，为：ROM(只读存储器)和RAM(随机存取存储器)。我们通常说的内存，仅指的是插在主板上的RAM。 RAM又分为SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）两种： SRAM采用双稳态触发器保存信息，只需保证持续供电数据就不会丢失，速度快，内部结构复杂，成本高，集成度有限，现在多用于移动电话、网络路由器等设备。 DRAM采用MOS存储信息，需要不断的给电容充电保证数据的存在。速度慢于SRAM，但是内部结构相对简单，成本低，集成度很高，目前广泛应用于计算机内存制造。包括早期的FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、RDRAM以及当今主流的DDR DRAM和DDR2 DRAM等。 二、内存的主要参数 速度——存取一次数据的时间，单位是ns。 容量——存储数据的多少，单位是Byte。 电压——内存颗粒正常工作需要的电压值。 CL设置——内存传输数据的延迟，一定程度上决定内存的性能。 ECC——数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式，分为奇校验和偶校验两种。 如果是采用奇校验，在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位，当实际数据中“1”的个数为偶数的时候，这个校验位就是“1”，否则这个校验位就是“0”，这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时，将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数，如果是奇数，表示传送正确，否则表示传送错误。同理偶校验的过程和奇校验的过程一样，只是检测数据中“1”的个数为偶数。 三、内存封装技术 DIP（双列直插式封装） SIP（单列直插封装） SOJ（小尺寸J型封装） TSOP（薄型小尺寸封装） 在80年代出现的TSOP封装（Thin Small Outline Package薄型小尺寸封装），由于更适合高频使用，以较强的可操作性和较高的可靠性征服了业界。TSOP的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP内存封装的外形呈长方形，且封装芯片的周围都有I/O引脚。例如SDRAM内存颗粒的两侧都有引脚，而SGRAM内存颗粒的四边都有引脚，所以体积相对较大。在TSOP封装方式中，内存颗粒是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热相对困难。TSOP应用于主流SDRAM/DDR DRAM内存条。 FBGA（FBGA是底部球型引脚封装，也就是塑料封装的 BGA 。） BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。 BGA封装的内存的两个分支是TinyBGA和mBGA。 TinyBGA是KingMAX提出的封装方式，mBGA主要用于RDRAM内存。 四、内存的接口技术 SIMM（单列直插内存模块） 用于早期FPM/EDO内存，金手指两面互通，两侧提供相同的信号。传输位宽分为8bit、16bit和32bit三种。其中8bit和16bit的SIMM使用30pin接口；32bit的SIMM使用72pin接口。 DIMM（双列直插内存模块） 金手指两面独立进行数据传输，单条内存即可提供64bit数据位宽，应用与当前主流内存规格。其中SDRAM内存采用168pin，金手指上有2个卡口；DDR DRAM内存采用184pin，金手指上有一个卡口；DDR2 DRAM内存采用240pin，金手指上同样有一个卡口，但是相对DDR内存更靠中间。 RIMM Rambus公司生产的RDRAM内存接口，同样有184pin双面金手指，在中间位置有两个卡口，容易辨认。只能搭配Intel 820/850芯片组使用。 五、笔记本内存规格介绍 笔记本内存采用标准SO DIMM插槽，由台式机DIMM插槽演化而来 早期EDO DRAM内存 这种内存主要用于古老的MMX和486机型上面，也有部分厂家在PII的笔记本电脑中仍然使用EDO内存，这种EDO单条最高容量只有64M，而且由于EDO内存的工作电压为5V和现在常用的SDRAM的3.3V相比更费电一些，所以很快就被SDRAM内存所取代。 笔记本早期内存接口比较混乱，到了90年代才开始标准化，当时使用72pin SO DIMM接口的内存。90年代中期出现144pin SO DIMM接口的EDO DRAM。 SDRAM 笔记本经历了Pentium时代，CPU的速度已经越来越快，这时Intel公司提出了具有里程碑意义的内存技术----S