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模拟电子技术期中试卷 一、选择题。 （每题3分，共36分） 1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.不定 2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。 A.饱和状态. B.放大状态 C.截止状态 D.倒置状态 3.共模抑制比是______之比. A．差模输入信号与共模输入信号 B．输出量中差模成分与共模成分 C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值) D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值) 4.差动放大电路的主要优点是 。 A、稳定的放大性能 B、较高的输入电阻 C、能有效地抑制零点漂移 D、有稳定地静态工作点 5.稳压管的稳压区是工作在______。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到 ______电压以前，通过的电流很小。 A．击穿 B．最大 C．短路 7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻 Ri _______。 A．R1 B．（1+β）R1 C．R1/ 1+β D．R1/ β 8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_______。 A．正向运用 B．反向运用 9.当晶体管工作在放大区时，_______。 A．发射结和集电结均反偏； B．发射结正偏，集电结反偏； C．发射结和集电结均正偏。 10.在非线性失真中，饱和失真也称为（ ） A．顶部失真 B．底部失真 C．双向失真 11．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形 成PN结。 A．能够 B．不能 C．不一定 12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时，，二极管才能导通。 A．击穿 B．饱和 C．门槛 二、填空题。 （每空2分，共12分） 1.写出下列正弦波电压信号的表达式： A.峰—峰值10V，频率10kHz ( ) B.均方根值220V，频率50Hz ( ) C.峰—峰值100mV，周期1ms（ ） D.峰—峰值0.25V，角频率1000rad/s( ) 2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（ ）。 3.共模信号是指大小相等，极性（ ）的信号。 三、两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN型管，是硅管还是锗管？ （6分） 四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压的波形。（5分） 五、电路如图所示，已知VCC=VEE=15V.晶体管T1,T2的β＝100,rbb=200Ω RC=RL=6kΩ,RE=7.2kΩ 1.估算T1,T2管的静态工作点ICQ,VCEQ （5分） 2.计算AVD=VO/(Vi1-Vi2),Rid,Rod （8分） 六、FET恒流源电路如图，设已知管子的参数、， 试证明AB两端的小信号电阻。（8分） 七、图中RS、Re、Rb1、Rb2、、RC、RL、VCC均已知；求：IC、IB、VCB （8分） 八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为 (式中f的单位为Hz) 求：1.该电路的上、下限频率； 2.中频电压增益的分贝数； 3.输出电压与输入电压在中频区的相位差。 （12分） 1