2012微机原理及接口技术课件-ARM教材勘误.docVIP

《微处理器系统结构与嵌入式系统设计（第二版）》勘误表 页数 位 置 误 正 33 倒数第3行 应该首先将该存储单元的地址经数据总线送入…… 应该首先将该存储单元的地址经总线送入…… 63 正数第4行 MDR MBR 倒数第5行 ……，要和内存相互配合……，某些中也包含有…… ……，处理器要和内存相互配合，某些处理器中也包含有…… 65 正数第12行 指令的执行步骤如图3-12所示。 一条指令的执行步骤可能如图3-12所示。 66 正数第14行 通常把指令周期分解为…… 例如，可以把指令周期分解为…… 81 图3-29中存储单元地址 （Rs） Start＋(Rs) 88 倒数第11行 连续处理n条指令时的时空图如图5.47(b)所示，则实际吞吐量Tp为…… 连续处理n条指令时的实际吞吐量Tp为…… 89 正数第5行 连续处理n条指令时的时空图如图5.47(b)所示，则效率E为…… 连续处理n条指令时的效率E为…… 104 倒数第15行 因此从主存储器中读取一个字数据需要3个总线周期，第一个周期从……，第三个周期在…… 因此从主存储器中读取一个字数据需要2个总线周期，第一个周期从……，第二个周期在…… 122 表4-7中第4行第一列 0000 （C/BE[3：0]信号的取值） 0010 136 正数第3行 SRAM完全由晶体管实现，其基本存储单元是双稳态电