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MOCVD生长的GaNMg外延膜的光电性质.docVIP

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  • 2017-08-24 发布于广东
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MOCVD生长的GaNMg外延膜的光电性质.doc

    MOCVD生长的GaN：Mg外延膜的光电性质 第29卷第1期 2008年1月 半导体 JoURNALoFSEMICoNDUCToRS VO1.29NO.1 Jan.,2008 OpticalandElectricalPropertiesofGaN:MgGrownbyMOCVD WangLili,ZhangShuming,YangHui,andLiangJunwu (InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,Beifing100083,China) Abstract:Mg—dopedGaNlayerspreparedbymetalorganicchemicalvapordepositionwereannealedattemperaturesbe— tween550and950℃.Roomtemperature(RT)Hallandphotoluminescence(PL)spectroscopymeasurementswereper. formedontheas.grownandannealedsamples.Afterannealingat850℃.ahighholeconcentrationof8×10cm一0anda resistivityof0.8Q?cmareobtained.Twodominantdefect.r

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