洁净室尘土来源分析以及究极除尘手法介绍004.pptVIP

* 第四章：発塵原因と対策（２） ☆4.1　イオン注入工程 ☆4.2　フォト工程 ☆4.3　ＣＭＰ工程 ☆4.4　真空装置 ☆4.5　ウエーハの搬送 　　☆4.5.1　キャリアによる搬送 　　☆4.5.2　人手による搬送 　　　　　　　　　　　 在离子注入工程中，将晶圆呈同心圆状排列旋转，照射离子束。大电流的离子注入设备，此时由于高速旋转，會产生强大的离心力，由于震动和摩擦，渐渐的树脂表面开始裂化，很容易产生dust。 再有，离子注入设备中，wafer disk的旋转和dust的产生有着相当密切的关系。 上页图表是表示通过离子注入设备的pump down，离子注入，vent等工程测定到的外部的dust。通过此表，我们可以看出disk一开始旋转，dust就会扬起，停止旋转后dust又会落下来。 在photo工程中，用于蚀刻胶涂布，显像的coater developer，会使多余的蚀刻胶剥落变成dust。蚀刻胶是从wafer表面流下，通过使wafer高速旋转而微薄均匀地延展开。从wafer上面溢出来的蚀刻胶就流到了wafer外侧的cup里被排出。附着到cup上面的蚀刻胶干燥后，就会剥落扬起成为dust，附着到wafer上面。为了防止这种现象，有必要定期的清洗或者更换cup，不能有残留的蚀刻胶。 在CMP工程中，将半导体devise表面的凹凸除去，使其变得平坦