掺杂工艺_李铁强.pptVIP

掺杂工艺 热喷涂 热扩散 离子注入 热喷涂 利用某种热源将涂层材料加热到熔融或半熔融状态，同时借助于焰流或高速气体将其雾化，并推动这些雾化后的粒子喷射到基体表面，沉积成具有某种功能的涂层技术 氧气-燃料高速火焰喷涂 电弧喷涂 热喷涂工艺 (1)工作表面的预处理亦称表面制备，它是保证涂层与基体结合强度的重要工序。 ①凹切 ②表面清理。油污、油漆用溶剂或清洗剂清除。 ③表面粗化。表面粗化的方法有喷砂、切槽或车螺纹、滚花纹、拉毛等 (2)涂层喷涂 涂层喷涂在表面预处理后进行。首先对工件预热，然后喷涂粘结层，工作层，喷后进行工件冷却。 (3)喷涂层的后处理 ?①封孔 ?②涂层的机械加工。 采用热喷涂技术，以A1．CuO为主反应体系，在纯铜表面制备A1：03基复合陶瓷涂层工艺流程及参数 从左到右一次是陶瓷涂层、Ni-Al过渡层和纯铜基体 结果表明，在涂层间及涂层内部有NiCu及AlxCuy。化合物生成，其有助于增强涂层的结合性能，实现了复合陶瓷涂层与过渡层为机械、微区冶金和化学结合并存的结合方式,有利于提高涂层的致密性、结合强度 等性能。 扩散 在半导体制造中。利用高温扩散驱动杂质穿过晶格，是一个化学过程。受时间和温度的影响 固态杂质的热扩散需要三个步骤： 预沉积:为整个扩散过程建立浓度梯度 推进：是一个高温过程，用以使沉积的杂质穿过晶体，形成期望的结深。 激活：使杂质原子与晶格中的原子键合。 扩散工艺 在硅片制造过程中的扩散工艺步骤： 进行质量测试保证工具满足生产标准 使用批控制系统，验证硅片特性 下载包含所需扩散参数的工艺菜单 开启扩散炉，包含温度分布 清洗硅片并浸泡氢氟酸，去除自然氧化层 预沉积：把硅片装入扩散炉，扩散杂质 推进：升高炉温，推进并激活杂质 ，撤除硅片 测量、评价、记录结深和电阻 选用具有较低熔点的锌作过渡层，采用热喷涂工艺在AZ91D镁合金表面制备了锌铝涂层，并分析热扩散对锌铝涂层界面组织和性能的影响。 上述结果表明：经热扩散处理后，涂层与基体界面处形成扩散熔合区，扩散熔合区由Mg-Zn-Al金属间化合物及其固溶体组成;由于扩散熔合区的形成，使涂层的显微硬度和耐磨性能均显著提高。 离子注入技 ion implantation 通过高压离子轰击把杂质引入固体材料中 是一个物理过程。 离子注入的优点 精确控制杂质含量 注入离子时衬底温度可自由选择 单一离子束保证纯净掺杂 注入离子的浓度和深度分布精确可控 掺杂离子浓度不受平衡固溶度的限制 大面积均匀注入 注入的离子能穿过薄膜 缺点 高能的杂质离子轰击材料时将对晶体结构产生损伤——辐射损伤 注入设备复杂 通过离子注入技术将高剂量的Mn 离子注入到ZnO 体材料中，研究了未退火和退火样品的Raman谱 Mn 离子注入的能量为220 eV，注入深度约为100 nm，注入剂量为 1 × 1015—1 × 1017 / cm2，得到ZnMnO 的固溶体. 热退火是在N2气氛中进行，700 ℃ 下退火5min . 上述实验可以认为：Mn离子注入过程在材料中引起了损伤和随机替代Zn原子而导致了无序。退火对低剂量的注入有修复晶格的能力，对高剂量注入倾向于提供产生更多缺陷的机会。 * 利用两根预喷涂的金属线穿过特别设计的喷枪，金属线带电形成电弧，温度高于7200℉，熔解金属线并利用压缩空气或氮气将其雾化喷在已处理过的基材上，形成涂层。 *