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ESD保析
在人(ESD)现象可谓无处不在,瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持
对于电子系统设计人员而言,如果没有采取适当的ESD保ESD的冲
ESD保
为了给电子系统提供ESD保ESD保CMOS芯片已2 kV等ESD保ESD保CMOS芯片之中的!
其次,也可以在物理
此外,ESD设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受到ESD的冲置接口
不ESD保ESD应力影响,进入有效控制ESD事件的1所示。当然,合格的ESD元件必
常ESD保
安森美半ESD保Robert Ashton博士ESD保 制器(TVS)等,如表1所示。在保1中我ESD冲
瞬(TVS)则为采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。TVS元件主要TVS元件通常采用集成(IC)方式生
利用屏幕截TLP进行ESD保
Ashton博士ESD保ESD应力冲击或者说大电流冲击条件下,ESD保ESD冲
众所周知,IEC 61000-4-2标准测试条件下存续。虽然大部分的ESD保宣称能IEC 61000-4-2所指定的8 kV或第四(Class 4),但ESD保±10 kV应力电压 (高于8 kV)ESD保ESD保
图3的屏幕截TVS元件可以迅速将ESD8 kV静5至6 V的水平;但TVS器件的恢TVS器件泄漏到后面
在多重TVS采用二极管工作原理,受到ESD事件,材料就会受到一定的物理
有ESD保“少林功夫”,用“身体()”去硬扛,会“很受”,而TVS耍的是“太极拳”,在ESDIC之前,就将冲“引”或“消减掉”。
两相1,000次8kV IEC 61000-4-2 ESD脉冲条件下,安森美半TVS元件的漏0.1 ?A,而20个ESD脉冲下漏100 ?A。由此可ESD应用作用下,TVS仍能
不ESD应力冲击测试下的大I-V曲V(t)与I(t)的
在(TLP)方法就是很好的下一TLP测试,就是一种利用矩形短脉冲(50~200 ns)来ESD保-电压特性曲线的方法。这个短脉冲用来模拟作用于保护元件的短ESD脉冲,而恒定阻抗的
TLP测试通过方波测试脉冲加到待测器件(DUT)的两个引脚之TLP测试前要先对电路中的传输线路充电,测试时将被测器件接入,传输线路通过被测器件放电。改变电路和输入电压和传输线路的长度可以模拟在不同能量中的ESD脉冲,从而得到器件的ESD大TLP测试先从小电压脉冲开始,随后连续增加直到获得足够多的数据点,以作出完整的I-V曲DUT彻底损伤为止,作而获得其精确的允许最大脉冲电流。
总的来看,ESD保TLP测试方法优势突出,不仅可以确认屏幕截图数据,还可用于解析ESD保
结合ESD脉冲TLP测试,我们可以得出结论,在不同ESD保TVS元件,特TVS元件的大
不同便携ESD保
按照TVSESD保ESD保(高于100瓦)、最低TVS电容在1,000 pF至100 pF之ESD5Z5、ESD9X等TVS产品。
第二是高速ESD保USB1.1、USB2.0FS、FM天SIM卡和音TVS电容在40 pF至5 pF;在ESD9C和ESD7C等TVS、ESD5B和ESD9B双向TVS、NUP4202和NUP2202等ESD保NUP4xV、NUP8010和NUP5120等双向ESD保
第三个是超高速ESD保USB2.0HS、HDMI、RF天TVS电容在5pF以下,TVS技ESD9单向TVS(电容小于2 pF)、ESD11和ESD9双向TVS(0.5 pF)、NUP4212和NUP8012ESD保NUP4214双向ESD保
图6:多(MLV) 与安森美半TVS硅芯片技
安森美半ESD保范及ESD保
总结
要ESD保TVS这几种常见保护元件中,前两者分别在经济性和低电容方面占有优势,但TVS则拥有极佳的导电率,并且在多重应用作用下仍能维持强劲性能。安森美半导体提供一系列采用先进封装、拥有极佳性能的TVS元件,分ESD保
供稿:安森美半导体什ESD? "ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世EMI)及EMC)
/ART_8800022522_400008_500014_TS_e8a53896_02.HTM
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