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n型与p型半导体.doc
n-型和p-型半导体
半导体的电子性质是由价带和导带之间的带隙大小决定的(见第2章副篇)。, 这些物质叫本征半导体(intrinsic semiconductor), 许多半导体是所谓的非本征半导体(extrinsic semiconductor, 或外赋半导体), 其带隙的大小是通过小心地加入杂质控制的。加入杂质的过程叫掺杂(doping)。, 对掺杂的结果做说明(图 )。
Si是第IV族元素, 当用第V族元素P掺杂时, 杂质P原子的能级恰好处于Si的导带的下方。P原子使用其5个价电子中的4个与相邻的4个Si原子形成化学键, 热能就足以将那个“额外”的价电子激发至导带, 留下一个不能移动的P+正离子。P原子叫给体原子(donor atom), 这类半导体的导电性主要依赖给体原子的电子在导带中的运动。n-型半导体, n是negative的首字母, 指载流子带负电荷。
III族元素Al掺杂时, 杂质Al原子的能级恰好处于Si的价带的上方。Al原子只有3个价电子, 与相邻的3个Si原子形成电子对键, 与第4个Si原子只能形成单电子键。, 此时的价带电子容易激发至受体能级的一个Al原子, 形成一个不能移动的Al-负离子, 这里的Al原子叫受体原子(acceptor atom)。, 价带产生了一个带正电荷的空穴。, 它们被叫作p-型半导体, p是positive的首字母。
Fig. p- and n-type semiconductors
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