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晶体管特性图示仪 晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流 ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压 BUCBO、BUCEO、BUEBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。 一、主要技术指标 （l）Y轴编转因数： 集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％； 集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％； （2）X轴偏转因数： 集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％； 外接输入： 0.1V／度，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.001～ 200mA／度，分十七档； 阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档； 串联电阻：10Ω～22KΩ，分 24档； 每族级数：4～12连续可变； 每秒级数：100或200，共3档； 阶梯作用：重复、关、单族，共三档； 极性：正、负两档； 误差≤±5％． （4）集电极扫描信号： 峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调； 电流容量： 0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）； 功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％； （5）电源：交流 220V ±10％，50Hz±20Hz。 功耗：260VA． 环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％ 二、仪器原理框图和工作原理 仪器原理框图如图3.6.2所示。图中虚线框中“测试台”上插有被测三极管。 下面以使用本仪器测试“晶体二极管伏安特性”和“晶体三极管输出特性”为例，介绍仪器的工作原理。 二极管伏安特性的测试原理 流过二极管的电流I与二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由图3.7.2（a）二极管伏安特性曲线（正向区）可知，当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时，二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。 二极管方程： 式中：在环境温度为300K时，UT≈26mV 。 将这一过程重复进行称为“电压扫描”。根据特性曲线所在的象限，用本仪器“X轴作用”和“Y轴作用”的“移位”旋钮调整扫描的原点在示波器屏幕的左下角或右上角。当测量二极管正向特性曲线时，由于曲线位于第一象限，所以应将原点调整至屏幕左下角。（而反向特性曲线位于第三象限，应将原点调整至右上角，并将扫描电压极性选择为“－”。）二极管两端的电压U的值经“X轴放大器”放大后，控制示波器光点在X轴方向的运动。当电压由0逐渐增大时，光点从最左边的原点处向右水平移动，光迹的长度与电压值成正比。同时，用流过二极管的电流I的值（需变换成电压）经“Y轴放大器”放大后，来控制示波器光点在Y轴方向的运动。当电流由0 逐渐增大时，光点由最下边的原点处向上垂直运动，光迹的长度与电流成正比。两者的共同作用就会使示波器的光点在在屏面上显示出二极管的伏安特性曲线，并可根据示波管上的刻度定量读出电压、电流的数据。 测试二极管伏安特性曲线时，仪器工作原理如图3.6.3（b）所示。 （1）将“测试选择”开关扳向中间（“关”），被测二极管插入测试台左侧“E”和“C”插孔中，这时二极管没有加电；当其它选项调节好后，再将“测试选择”扳向“晶体管A”侧，进行加电测量。 （2）测试二极管时，基极“阶梯信号”不起作用。加在被测二极管上的电压由“集电极扫描信号”单元提供。 “集电极扫描信号”单元输出的是频率为100Hz的脉动直流电压，波形如 的正电压或 的负电压，由“极性”旋钮控制，可选“＋”或“－”；电压的峰值由“峰值电压范围”选择，可选“0～20伏”或“0～200伏”，再由“峰值电压”旋钮细调，可产生上述范围之间的任意值。注意：测量半导体器件一般选择“0～20”，而“0～200”用来测试器件的反向击穿电压。“功耗限制电阻”串连在电路中起保护作用，避免过大电流流过被测管。 测量二极管时，调节JT-1的“集电极扫描单元”的控制旋钮，使“极性”为“＋”，“峰值电压范围”为“0～20V”，“峰值电压”先旋为“0”，正式测量时加大到所需值。 “功耗限制电阻”在测量大电流二极管时可选几Ω或几十Ω，