反激参数设计.xlsVIP

Sheet1 设计要求 VAC VAC W KHz % 计算过程 Hz V W 最低电压直流平均电流 A 输入端电解电容容量 uF 实际选择电解电容容量为： 选择最大工作占空比 RCD吸收电压与反射电压比例 指定MOS耐压 稳态时MOS电压应力比例 % 最大工作占空比 RCD耗散能量是漏感能量的倍数 倍 MOS工作电压应力 MOS耐压要求 V 下面有三种计算方法供我们比较参考，不同的设计方法，考虑的出发点是不同的。 本文中的设计，都是按照在最低输入电压、最大输出电流时，变换器工作在CCM模式或CRM模式来考虑的。 RCD箝位电压与反射电压比例 设定RCD箝位电压比反射电压高 输入功率Pin 效率η 最低交流电源电压Vacmin 最高交流电源电压Vacmax 交流电源频率fac 输出功率Pout 开关频率fs 最大工作占空比Dmax 反射电压Vf RCD箝位电压Vc 下面，我们在设计中面临着另一个分水岭，是选择CCM，还是选择DCM Ip1+Ip2= 不管是DCM还是CCM方式，都有这么一个公式成立：Pin=(1/2)×Vinmin×(Ip1+Ip2)×Dmax，所以： Ip2= 如果选择CCM，并定义 Ip1 则 则, Ip1= 如果选择DCM，那么 Ip2-Ip1= 根据公式，Lp=Vinmin×Dmax/(fs×(Ip2-Ip1))，可以求出两种模式下的初级电感量： Lp= uH 选择CCM，则 选择DCM，则 下面根据AP法，选择磁芯规格。先计算所需要AP值： AP= Bmax= 设定电流密度为 设定占空系数为 设定最大工作磁感应强度为 Kj= K0= T A/cm uF cm 经过查询磁芯参数，选择了ferroxcube的一款E25/13/7的磁芯： Ae= Aw= 下面，根据LpIp2=NpBmaxAe来计算初级侧的匝数： Np= 匝 接着，我们来计算次级绕组的匝数： 我们先设定次级整流二极管的压降： 那么 V绕组匝数为： 按照上面计算，填入初级匝数 Np= 匝 按照梯形波的RMS值计算公式计算初、次级绕组电流RMS值： Iprms= 先看初级的： DCM时 CCM时 要计算次级电流的RMS值，首先要知道次级输出电流值。 Iout= A DCM时，次级峰值电流： Isp= Isrms= CCM时，首先要计算次级梯形波电流值，定义梯形短边为Isp1,长边为Isp2 那么Isp1和Isp2的比例关系与初级侧相同。 可以求出： Isp1= Isp2= Isrms= 假设某次级的输出电流为 知道了次级绕组的有效值电流，就可以选择合适的线径了。注意单根线径不要超过2倍趋肤深度。 Δ= 趋肤深度简单计算为 mm 需要导线的铜截面积为： Sp= Ss= 下面来选择合适的次级滤波电解电容 A 通常我们选择105度的电容，假如实际工作温度在85度，那么电容的纹波电流可以承受一个1.7的系数。 通过查资料，我们知道一款电容，参数为：560uF/35V，105度时耐100KHz电流纹波电流能力为1360mA。 那么， 说明我们可以用两只这样的电容并联使用就可以满足要求了。 但实际使用时，必须检测电容的温度和自温升。对电容的使用是否合理重新评估。 1.36×1.7×2×1=4.624 上式中，1.7是温度系数，2是两只并联，1是频率系数。 现在来计算RCD吸收电路的参数: Lplk= uH 变压器实测初级漏感约为： 我们已经设计了箝位电压 Vc= V 那么对于DCM模式时，损耗功率： P= W 电阻取值： R= K 吸收电容容量为： C= nF 假如我们设定吸收电容电压波动为： % 那么对于CCM模式时，损耗功率： K 注意： 是需要用户手动输入的。 是计算出来的结果。 是禁止修改的。 输入端整流后电解电容电压纹波 输入端最低直流电压Vinmin 输入端最高直流电压Vinmax Vc、Vf、Dmax计算方法一 Vc、Vf、Dmax计算方法二 Vc、Vf、Dmax计算方法三 实际二极管的耐压选择，最好用示波器看看最大反向电压的数值，再留出20%的裕量。 反激式开关电源参数设计 v0.9 作者：让你记得我的好 综合以上计算结果，对比后，我们选择其中一种方法的结果来作为后继计算的起点。把结果填入下面表格: 假设我们的输出是DCM模式，按照上面的计算知道 V绕组二极管耐压为： 85.00 264.00 50.00 60.00 80.00 100.00 80.00 102.00 1.20 369.60 1.40 75.00 100.00 .74 15.00 384.47 .80 2.00 100.00 1000000.00 390.00 .60 1.75 153.00 1.00 267.75