砷化镓材料国内外市场供应生产厂家及需求现状.docVIP

砷化镓材料国内外市场供应生产厂家及需求现状.doc

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砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求 1 国内外砷化镓材料发展现状 半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件,受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动,半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。2003~2008年,半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工(Sumitomo Electric)、费里伯格(Freiberger Compound Materials )、日立电线(Hitachi Cable)和美国AXT等四家大公司手中。主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。费里伯格住友日立电线RF Micro DeviceRF Micro Device 美国 Anadigics 美国 Conexant 美国 目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主,利润率较高的微电子用4~6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有:北京通美晶体技术有限公司(AXT)、中科晶电信息材料(北京)有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司(中电集团46研究所)、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司(原国营542厂)等九家。 北京通美是美国AXT独资子公司,其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指,产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资,有效地控制了公司成本,2009年销售收入8 000万美元,短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。 中科晶电成立于2006年,主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产,该公司为民营企业,总投资为2 500万美元,在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。2009年月产2英寸砷化镓晶片10万片,2010年月产达到15万片。该公司是目前国内发展速度最快的砷化镓企业。 天津晶明公司成立于2007年,由中国电子科技集团公司第四十六研究所投资,注册资本1400万元,总投入约5 000万元。主要产品为2英寸LED用VB法低阻砷化镓晶体及抛光片,兼顾少量3~4英寸半绝缘砷化镓单晶材料。目前拥用LEC单晶炉4台,VB单晶炉60台,已建成一条完整的单晶生长及抛光片加工生产线,目前月产约为3万片。 中科镓英公司成立于2001年,晶体生长只有两台LEC单晶炉,目前主要在国内购买HB或VGF砷化镓单晶进行抛光片加工,销售对象主要是国内的LED外延企业,月产约2~3万片。 北京国瑞公司和扬州中显公司主要生产2~2.5英寸HB砷化镓单晶,山东远东公司主要生产2英寸LEC(或称LEVB)砷化镓单晶,这三家公司的产品主要针对LED市场,其单晶质量、成品率以及整体经营状况都很稳定。这三家公司目前都没有晶片加工工序,只能将单晶卖给其它公司进行加工。 大庆佳昌原主要从事LEC砷化镓单晶生长,曾生长出8英寸LEC砷化镓单晶样品。2009年争取到政府立项投资1.3亿元,转向以VGF工艺生产LED用低阻砷化镓材料,目前已完成厂房建设和小试生产,其产品定位主要在4英寸市场。 新乡神舟公司主要从事LEC和HB砷化镓单晶生长,近期开始进行VGF法砷化镓工艺研究,目前的市场定位还不是很明确,主要以承担军工科研任务为主。 表2 国内砷化镓材料主要生产企业 主要企业 采用工艺 晶体直径 所在地区 中科晶电信息材料(北京)有限公司 VGF 2/4 北京 天津晶明电子材料有限责任公司(46所) VB/VGF/LEC 2/4 天津 北京中科镓英半导体有限公司 LEC 2/4 北京 北京国瑞电子材料有限责任公司 HB 2/2.5 北京 扬州中显机械有限公司 HB 2/2.5 扬州 山东远东高科技材料有限公司 LEC(LEVB) 2/3 济宁 大庆佳昌科技有限公司 LEC/VGF 2/4 大庆 新乡神舟晶体科技发展有限公司 HB/LEC 2/3 新乡 2、砷化镓应用领域及市场需求 2.1 砷化镓应用领域概述 砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比,它的电子移动率约为硅材料的5 . 7 倍,。它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙,消耗功率低的特性。因此,广泛运用於高频及无线通讯(主要为超过1 G H z 以上的频率).适于制做IC 器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件,通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS 全球导航等领域。砷化镓除在I C 产品应用以外,也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应,达到所对应的光波波长,制作成光电元件。由此 可以看出,砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。在微电子领域

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