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一、目的
二、三、
实验中所用的运算器数据通路图如图 2.6-1。图中所示的是由两片 74LS181 芯片以并/串形式构成的 8 位字长的运算器。右方为低 4 位运算芯片,左方为高 4 位运算芯片。低位芯片的进位输出端 Cn+4 与高位芯片的进位输入端 Cn 相连,使低 4 位运算产生的进位送进高 4位运算中。低位芯片的进位输入端 Cn 可与外来进位相连,高位芯片的进位输出引至外部。 两个芯片的控制端 S0~S3 和 M 各自相连,其控制电平按表 2.6-1。
为进行双操作数运算,运算器的两个数据输入端分别由两个数据暂存器 DR1、DR2(用锁存器 74LS273 实现)来锁存数据。要将内总线上的数据锁存到 DR1 或 DR2 中,则锁存器74LS273 的控制端 LDDR1 或 LDDR2 须为高电平。当 T4 脉冲来到的时候,总线上的数据就被锁存进 DR1 或 DR2 中了。
为控制运算器向内总线上输出运算结果,在其输出端连接了一个三态门(用 74LS245 实现)。若要将运算结果输出到总线上,则要将三态门 74LS245 的控制端 ALU-B 置低电平。否则输出高阻态。
数据输入单元(实验板上印有 INPUT DEVICE)用以给出参与运算的数据。其中,输入开关经过一个三态门(74LS245)和内总线相连,该三态门的控制信号为 SW-B,取低电时,开关上的数据则通过三态门而送入内总线中。
总线数据显示灯(在 BUS UNIT 单元中)已与内总线相连,用来显示内总线上的数据。 控制信号中除 T4 为脉冲信号,其它均为电平信号。
由于实验电路中的时序信号均已连至“W/R UNIT”单元中的相应时序信号引出端,因此,需要将“W/R UNIT”单元中的 T4 接至“STATE UNIT”单元中的微动开关 KK2 的输出端。在进行实验时,按动微动开关,即可获得实验所需的单脉冲。
S3、S2、 S1、S0 、Cn、M、LDDR1、LDDR2、ALU-B、SW-B 各电平控制信号则使用“SWITCH UNIT”单元中的二进制数据开关来模拟,其中 Cn、ALU-B、SW-B 为低电平有效,LDDR1、LDDR2 为高电平有效。 对于单总线数据通路,作实验时就要分时控制总线,即当向 DR1、DR2 工作暂存器打入数据时,数据开关三态门打开,这时应保证运算器输出三态门关闭;同样,当运算器输出结果至总线时也应保证数据输入三态门是在关闭状态。
四1.按图 2.6-2连接实验电路并检查无误。图中将用户需要连接的信号线用小圆圈标明(其它实验相同,不再说明)。
2.开电源开关。
3.用输入开关向暂存器 DR1 置数。
①拨动输入开关形成二进制数或其它数值)。(数据显示灯亮为 0,灭为1)。
②使 SWITCH UNIT 单元中的开关 SW-B=0(打开数据输入三态门)、ALU-B=1(关闭ALU输出三态门)、LDDR1=1、LDDR2=0。
③按动微动开关 KK2,则将二进制数置入 DR1 中。
4.用输入开关向暂存器 DR2 置数。
①拨动输入开关形成二进制数或其它数值)。
②SW-B=0、ALU-B=1 保持不变,改变 LDDR1、LDDR2,使 LDDR1=0、LDDR2=1。
③按动微动开关 KK2,则将二进制数置入 DR2 中。
5.检验 DR1 和 DR2 中存的数是否正确。
①关闭数据输入三态门(SW-B=1),打开 ALU输出三态门(ALU-B=0),并使LDDR1=0、LDDR2=0,关闭寄存器。
②置 S3、S2、 S1、S0 、M 为 1 1 1 1 1,总线显示灯则显示 DR1 中的数。
③置 S3、S2、 S1、S0 、M 为 1 0 1 0 1,总线显示灯则显示 DR2 中的数。
6.改变运算器的功能设置,观察运算器的输出。
①SW-B=1、ALU-B=0 保持不变。
②按表 2-2 置 S3、S2、 S1、S0 、M、Cn 的数值,并观察总线显示灯显示的结果。
例如:置 S3、S2、 S1、S0 、M、Cn 为 1 0 0 1 0 1,运算器作加法运算。
置 S3、S2、 S1、S0 、M、Cn 为 0 1 1 0 0 0,运算器作减法运算。
7.验证 74LS181 的算术运算和逻辑运算功能(采用正逻辑) 在给定 DR1=65、DR2=A7 的情况下,改变运算器的功能设置,观察运算器的输出,填入下表中,并和理论分析进行比较、验证。
五、实验结果
DR1 DR2 S3 S2 S1 S0 M=0(算术运算) M=1
(逻辑运算) Cn=1
无进位 Cn=0
有进位
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