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相变存储器 框架 1.相变存储器 1.1 相变存储器的基本原理 1.2相变材料的性质和性能优化 1.3新型相变材料 1.4相变存储器的结构 2.存储器和集成光学 2.1基于相变材料的门开关 1.1相变存储器（OUM,PCRAM）的基本原理 最早的“存储器” 相变存储器 相变材料应用 数据光盘 在脉冲激光的热诱导下可以实现在无序（非晶态）-有序（晶态）的转变，利用其光学反射率的巨大差异。 硫属化合物进入半导体行业 器件操作电压和电流很高 随着半导体行业水平的提高，相变存储器电学性能得到很大提高。 1.2相变材料的性质 Ge2Sb2Te5薄膜的性质 Ge2Sb2Te5薄膜的结构和形貌—XRD结果 Ge2Sb2Te5薄膜的结构和形貌—拉曼光谱 Ge2Sb2Te5薄膜的结构和形貌—TEM 1.3新型相变材料 环境友好型相变材料-GeSb,SiSb Te:熔点低，蒸汽压高，高温下易挥发。毒！ Te元素的扩散， 1.影响材料性能，造成材料体积变化，接触不良。 2.和电极（Ti）生成合金 1.4相变存储器的器件结构 相变存储器的结构 1.经典的蘑菇型结构 4.GST限制 3.Pore结构 5.边缘接触 Ha, Y.H.， et al, An edge contact type cell for Phase Change RAM featuring very low power consumption, VLSI Technology, 2003. Digest of Technical Papers. 2003 结构设计的总结 减少电极和相变材料的接触区域，从而实现SET和RESET的可逆区域的减小。达到降低功耗和电流的目的。 谢谢！ * * 结绳记事 晶态 非晶态 低阻 高阻 1 0 1.3.1相的概念 相：体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态 Eg: 水：水蒸气(汽相)，液态水（液相），固态水（固相）。 有序 无序 高阻值 低阻值 半导体特性 非晶态 半金属特性 晶态 1.3.2相变存储器的基本原理—以硫属化合物为基础的相变材料 Stanford R. Ovshinsky, Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures, Physical Review Letter, vol. 21, no.20, pp. 1450-1452,1968. 1968. Stanford R. Ovshinsky，电场激发下具有高低阻值的转变现象。 1.实验装置 2.实验样品 3.实验结果 Ge10Si12As30Te48 Matthias Wuttig and noboru YaMada，Phase-change materials for rewriteable data storage， Nat. Mater., 2007, 6:824-832. (1)set: 较长时间，中等强度的脉冲，温度上升到结晶温度以上，融化温度以下，从而结晶 (2)reset:强度更高，作用时间短促的电脉冲，温度升到材料熔点之上，淬火，材料进入非 晶态 融化 淬火 Ge2Sb2Te5 PCRAM 芯片 两个红框：对应两个放热峰。 蓝框：吸热峰，对应着融化。 两个放热峰，对应着两次晶型的变化过程 Ge2Sb2Te5薄膜的性质：差分扫描量热曲线，给出了研究物质形态随温度的变化。 Zhang T, Liu B, et al, Struture and electrical Properties of Ge thin film used for Ovonic Unified Memory, Chin. Phys. Lett., 2004, 21(4), 741-743. 非晶态的 亚稳态NaCl面心立方结构 250 ℃ 400 ℃ Yamada N, Matsungag T. Structure of laser-crystallized Ge2Sb2+xTe5 sputtered thin Films for use in optical memory, J. Appl. Phys., 2000, 88(12):7020-7028. Yamada N, Ohno E, Nishiuchi K, et al. Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory, J. Appl. Phys., 1991, 69(5):2849-2856. 沉积态 略为开始分裂