DDR内存插槽及测试点.docVIP

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2017-08-23 发布于河南
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DDR内存插槽及测试点.doc

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DDR内存插槽及测试点一、实物图上图就是DDR内存插槽实物图二、测试点　　　　　　DDR内存插槽测试点：2个供电、6个时钟、6个信号测试点　　　　VCC=2.5V,1.25V：供电测试点　　　　CLK0、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4、CLK5:时钟测试点，频率266/333/400MHZ，电压1.1V-1.6V，如果主板有两块时钟芯片，内存时钟由靠近内存的时钟芯片提供；如果只有一个时钟芯片，内存的时钟由北桥提供　　　　6个信号测试点：　　　　CAS：列选信号　　　　RAS：行选信号　　　　WE：允许信号（高电平允许读，低电平允许写）　　　　CS：片选信号　　　　SCL：串行时钟，SDA：串行数据，由南桥提供3.3V电压　　　　D58、D56、D18等：是数据线，对地打阻值正常值300-800 DDR内存插槽测试点：2个供电、6个时钟、6个信号测试点　　　　VCC=2.5V,1.25V：供电测试点　　　　CLK0、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4、CLK5:时钟测试点，频率266/333/400MHZ，电压1.1V-1.6V，如果主板有两块时钟芯片，内存时钟由靠近内存的时钟芯片提供；如果只有一个时钟芯片，内存的时钟由北桥提供　　　　6个信号测试点：　　　　CAS：列选信号　　　　RAS：行选信号　　　　WE：允许信号（高电平允许读，低电平允许写）　　　　CS：片选信号　　　　SCL：串行时钟，SDA：串行数据，由南桥提供3.3V电压　　　　D58、D56、D18等：是数据线，对地打阻值正常值300-800