ch2_3 单片机芯片的硬件结构(part 1 80C51).ppt

⒉ 掉电保护方式(Power Down Mode) ?⑴PCON寄存器的PD位控制单片机进入掉电保护方式。 当80C51检测到电源故障时，除进行信息保护外，还应把PCON.1(PD)位置‘1’，使之进入掉电保护方式。此时单片机一切工作都停止，只有内部RAM单元的内容被保护。 ⑵ 只能依靠复位退出掉电保护方式。 80C51备用电源由RST/VPD端引入。当Vcc恢复正常后，只要硬件复位信号维持10ms，就能使单片机退出掉电保护方式，CPU则从进入掉电方式的下一条指令开始重新执行程序。 在待机和掉电保护期间引脚的状态见下表。 表 待机和掉电保护方式时引脚状态 由上表可知，80C51处于掉电方式时，ALE和/PSEN引脚输出均为低电平。这样设计的目的主要是为了便于在掉电方式下撤消对片内RAM以外电路的供电，从而进一步降低功耗。如果在执行片内程序时启动了掉电方式，那么各引脚将继续输出其相应的SFR的内容。即使80C51由片外程序进入掉电方式，P1~P2口也输出其SFR的数据，但P0口处于高阻状态。 掉电方式下，Vcc供电可降至2V。 2.5.4 编程方式（*：选学内容，不做考试要求） ? 对于片内具有EPROM型程序存储器的87C51(87C52) 和片内具有闪速存储器的89C51 (89C52) 、78E51 (78E52) 等单片机可以通过编程来修改程序存储器中的程序。 89C51内部有一个4KB的Flash EEROM。编程接口可接收高电压(12V) 或低电压(Vcc) 的允许编程信号。低电压编程方式可以很方便地与89C51内的用户系统进行编程；而高压编程方式则可与通用的EPROM编程器兼容。对于这二种编程方式的芯片面上的型号和片内特征字节的内容不同。 ⒈ 闪速存储器编程方式? 表A列出了89C51闪速存储器的编程、校验、写锁定位等时的逻辑电平。 表A 89C51闪速存储器的编程方式 注意：⑴ 根据特征字节(地址为032H) 的内容选择合适的编程电压(VPP=12V或5V) ⑵ 片擦除操作时，要求PROG的脉冲宽度为10ms。 ⒉ 闪速存储器编程 ⑴ 在对89C51编程前，地址、数据、控制信号必须按表A和图A设置。 ?对89C51的编程的步骤如下： 在地址线上输入要编程存储器单元地址。 在数据线上输入要写入的数据。 按图B的要求输出编程和校验的时序。 对于高压编程模式，将VPP升至12V。 图A 89C51的闪速存储器编程和校验 见表A 见表A 图B 89C51的闪速存储器的编程和校验 * * 2.4 80C51的时钟电路及工作时序 时钟电路用于产生单片机工作所需要的时钟信号。 时序所研究的是指令执行中各信号之间的相互时间关系。 单片机本身就是一个复杂的同步时序电路。 2.4.1 时钟电路 在80C51内带有时钟电路，只需要在片外通过XTAL1和XTAL2引脚接入定时控制元件（晶体振荡器和电容），即可构成一个稳定的自激振荡器。在80C51芯片内部有一个高增益反相放大器，而在芯片的外部，XTAL1和XTAL2之间跨接晶体振荡器和微调电容。80C51的时钟电路如图所示（见教材P30图2.12）。 由图可见，时钟电路由下列几部分组成：振荡器及定时控制元件、时钟发生器、地址锁存允许信号 ALE。 振荡器及定时控制元件 在80C51芯片内部有一个高增益反相放大器，其输入端为芯片引脚XTAL1，其输出端为引脚XTAL2。 图 80C51单片机的时钟电路 ÷2 只需要在片外通过XTAL1和XTAL2引脚跨接晶体振荡器和微调电容，形成反馈电路，振荡器即可工作。振荡电路原理如图所示（见教材P30图2.11）。 振荡器的工作可以由PD位（特殊功能寄存器PCON中的一位）控制。当 PD置1时，振荡器停止工作，系统进入低功耗工作状态。 振荡器的工作频率一般在1.2～12 MHz之间，由于制造工艺的改进，有些单片机的频率范围正向两端延伸，高端可达40 MHZ，低端可达0Hz。 在由多片单片机组成的系统中，为了使各单片机之间时钟信号的同步，应当引入唯一的公用外部脉冲信号作为各单片机的振荡脉冲。 当由外部输入时钟信号时，外部信号接入XTAL1端，XTAL2端悬空不用。对外部信号的占空比没有要求，高/低电平持续时间应不小于 20 ns。 内部时钟发生器 内部时钟发生器实质上是一个2分频的触发器。其输入由振荡器引入的，输出为两个