讲稿-12 NANDFLAH的使用原理.pptVIP

概述 当前的FLASH闪存存储器主要分为NOR FLASH和NAND FLASH。 系统可以直接在NOR FLASH运行指令，用于启动和引导系统。但价格贵，容量小。而NAND FLASH不能用于主存，只能进行按扇区读写，可以用作小硬盘。但是容量大，价格便宜。 因此，一些用户希望从NAND FLASH启动和引导系统，在SDRAM上执行主程序。 S3C2410A恰好满足这一要求，它可以实现从NAND FLASH上执行引导程序。为了支持NAND FLASH的系统引导，S3C2410A具备了一个内部SRAM缓冲器，叫做”Steppingstone”。当系统启动时，NAND FLASH存储器的前面4K BYTES字节将被自动载入”Steppingstone”中，然后系统自动执行这些载入的引导代码。 一般情况下，这4K的引导代码需要将NAND FLASH中程序的内容拷贝到SDRAM中，在引导代码执行完毕后跳转到SDRAM执行。使用S2C2410A内部硬件ECC功能可以对NAND FLASH的数据进行有效性的检测。 S3C2410A的NAND FLASH控制特性 支持读/擦/编程NAND FLASH存储器。 自动导入模式，复位后，引导代码 被送入Steppingstone，传送后，引导代码在Steppingstone中执行。 具备ECC产生模块，可以硬件自动产生检验码，由软件纠正。 4KB内部SRAM缓冲器Steppingstone，在NAND FLASH引导后可以作为其他用途使用。 NAND FLASH控制器的工作机制 自动导入模式步骤 NAND FLASH的模式配置 管脚配置 D[7:0]：数据/命令/地址的输入输出 CLE：命令锁存命令（输出） ALE：地址有效指示（输出） nFCE ：NAND FLASH片选使能（输出） nFRE：NAND FLASH读使能 nFWE：NAND FLASH写使能 R/nB：NAND FLASH准备好/繁忙(输入) TACLS = 0, TWRPH0 = 1, TWRPH1 = 0 系统引导和NAND FLASH配置 OM[1:0]=00b:使能NAND flash控制器自动导入模式 NAND FLASH的存储页面大小应该是512字节 NCON: NAND FLASH的寻址步骤选择 0：3步（分三次输入FLASH内部的地址） 1：4步（分四次输入FLASH内部的地址） ECC校验码 S3C2410A在写/读操作时，自动产生ECC校验码。每512字节数据产生3字节的ECC奇偶编码。 24位奇偶代码=18行奇偶＋6位列奇偶 ECC产生模块执行以下步骤 1.当MCU写数据到NAND时，ECC产生模块生成ECC代码。 2.当MCU从NAND读数据时，ECC产生代码同时,用户程序将它与先前写入时产生的ECC代码相比较。 NAND FLASH在存储空间的分布 S3C2410A体系提供了8个存储器BANK，每个BANK有128M容量。它们的有效选择线分别是nGS0-nGS7。 0－5号BANK是ROM和SRAM型存储器，而6和7号RAM则是SDRAM存储器。 6号BANK的大小是可以编程的，我们实验箱子中，有64M SDRAM提供使用，在6号BANK中，地址空间为0到0x33ffffff。 4KB的内部高速缓存被映射到BANK0。 NandFlash的操作 试验板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的NandFlash读取操作做一个讲解。正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块Nand Flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。 flash中Byte(字节)，Page(页),Block（块）3个单位之间的关系为 : 1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages 我们讨论的K9F1208U0B总共有4096 个Blocks，故我们可以知道这块flash的容量为4096 *(32 *528)=Bytes = 66 MB 但事实上每个Page上的最后16Bytes是用于存贮检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为4096 *(32 *512) =Bytes = 64 MB，1个Page总共由528 Bytes组成，这528个字节按顺序由上而下以列为单位进行排列（1列代表一个Byte。第0行为第0 Byte ，第1行为第1 Byte，以此类推，每个行又由8个位组成，每个位表示1个Byte里面的1bit）。这528Bytes按功能分为两大部分，分别是