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8.2.1 测温原理 (1) 导体电阻率 (8-4) E——电场强度 J——电流密度 在E的作用下，J的数值与自由电子数n、电荷e和电子定向运动 速度平均值u成正比，可通过自由电子运动时的平均自由程及质量m得出电阻率与温度之间的关系，即 (8-5) 式中，k为玻尔兹曼常量;T为温度。 导体的电阻率还与其晶格点阵和缺陷有关 (8-6) 式中，A为金属的特性常数；M为金属原子质量；为金属的德拜温度。 当T0.5时,式(8-6 (8-7) 这就是公认的金属在高温下,电阻率与温度的正比关系. 而在低温下,即T0.5时，式(8-6)的积分上限可认为，求解式（8-6）中的函数的结果是124.4.此时金属电阻率为 （8-8） 对金属而言，在一定的温度下，物质的电阻率和电阻有确定的函数关系 (8-9) R——导体电阻 l——导体长度 s——导体截面积 （2）半导体电阻率 受到掺杂程度和制造工艺的影响，很难给出统一形式的方程来描述鍺半导体电阻——温度特性。典型的经验公式是 (8-10) 式中 B取决于掺杂的种类和浓度，并随温度而变；E与禁宽度有关；k为玻尔兹曼常量。 由式（8-9）或（8-10）知：温度的变化引起了电阻的变化。 1）列表法： 2）内插法。 内插法的一般表达式： (8-11) 式中, 为热电阻在温度为t时的电阻值；为热电阻在温度为0时的电阻值； A、B、C为在固定温度上所确定的分度常数，对于不同材料的热电阻，其数值也不同。 即便是同一材料，在不同的测量范围，其值也不一定相同。 铂热电阻的电阻与温度关系特性，在温度为-200——0时，关系特性可表示为
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