第五章二极管和晶体管.ppt

5.1.2 N型半导体和 P 型半导体 5.1.2 N型半导体和 P 型半导体 5.2 PN结 5.2.1 PN结的形成 5.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 5.2 半导体二极管 5.2.1 基本结构 5.2.2 伏安特性 5.2.3 主要参数 二极管电路分析举例 5.3 特殊二极管 作业 5.2.1, 5.2.2, 5.2.3 , 5.2.4 3. 主要参数 5.5 半导体三极管 5.5.1 基本结构 5. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 5.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 5.5.4 主要参数 1. 电流放大系数:?， 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICEO 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 第5章 半导体器件 5.2 半导体二极管 5.4 集成稳压器 5.5 半导体三极管 5.1 半导体的基础知识 5.3 特殊二极管 第5章 半导体器件 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，主要看能否满足技术指标，不要过分追究精确的数值。 半导体器件是非线性的、特性有分散性；RC 的值也存在误差；工程上允许有一定的误差，故可采用合理估算的方法。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 5.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，