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第五章 第四章 Ef-Ev;Ef-Ei;Ef-Ec EfD-Nd上限T n0p0NdnD+ Mn星Mp星Nc撇Nv撇Nd NcNvNi f(E) Sheet1 E0 nd ni n0 p0 空穴浓度 本征浓度 电子浓度 施主浓度 300K 200K 773K T mn* m0 mn*/m0 Nc GaAs Si Ge mp* mp*/m0 Nv Eg T 查表数据 单位 lnmp*/mn* kT(eV) mp*/mn* 小量 第六题 T mn*/m0 mp*/m0 第七题 Nc(cm-3) Nv(cm-3) 第五题 Nc(立方米) Nv(立方米) Nc Nv Nv Nc(立方厘米) Nv(立方厘米) dltaEd Nd k0t/ev Na (Nd-Na)/2 mp* Ec T Nd Nc Ef k0tlnNd/Nc Ec-Ef Ec-Ef D- Ec-Ed (Ec-Ed)/k0t D- exp Nd上限 Ed-Ef Nd ln(Nc*D-/2/Nd) Ge 十三题 Na Nv k0t Ef-Ev (E-Ef)/k0T f(E)费米 f(E)玻尔 第三题 m0 q e0 er0 h bar e0/ev mnstar/m0 E0 deltaEd r0 h eraa m0/mnstar r ni p0 a E deltaT 第一章 第二题 n0 T 第九题 Ni Nd 第十题 第十一题 第十二题 第十四题 Ef-Ei 第十五题 第十五题 P0 十五题 第十五题 第十六题 N n0 十六题 (Na-Nd)/2 N型 P型 过渡区 N型 十七题 第十七题 十八题 300k 十九题 Si 掺P 掺Di F1/2 Ef-Ec (Ef-Ec)/k0t n0 Ef-Ed (Ef-Ed)/k0t 1+2exp 二十题 第二十题 第二十题 X 二十一题 Ef-Ed k0t nD+ 第一题 p q ρ n 第四题 μn μp σ 晶格常数 原子密度 σ σ/σ NA p≈NA n 重量 密度 V 锑原子量 杂质质量 ND p0 硼原子量 NA μp mc/m0 E τn νbar l bar 第七题 第七题 p l s R 第八题 I 电压 电流 允许误差 查图 查图：杂质浓度 略 第十题 温度 查图ni 第十一题 查表4-15b E J S I J 第十二题 查表4-13 p σ S Δp τ U τ gL ρ nqun+pqmp un Δnqun Δp=Δn up Δpqup σ t τ t/τ exp(-t/τ) 第八题 第十三题 第十四题 第十六题 第十八题 p σ0≈n0qun Δnq(un+up) 略 Nd k0tln(n/ni) n/ni pi p/pi -k0tln(p/pi) Nd/ni k0tln(Nd/ni) efn-ef ef-efp X Nt rp rn τp τn τp U=-p0/τp k0t/q τn Ln Δx Δp/Δx Jp p μp NA ND Naeff p Ni up n upqp ρ un nqun l ρ R σ=nqun σ=nqun p=NA n up查14a upqp ρ p=NA-ND Ni=NA+ND ND n=ND-NA un查14a unqn ND1 ND2 n=ND1+ND2-NA Ni=ND1+ND2+NA uu up σmin σi σmin σi s R μn n=Nd-Na 第3题 第1题 第2题 第4题 第5题 第6题 B卷参考 第7题 第8题 第9题 1.00E+13 1.00E-04 1.00E+17 1.00E+22 1.00E-06 1.00E+16 10.00 .10 1.00 1350.00 2.16 1.60E-19 500.00 .80 1.60E-19 3.06 1.00E-05 2.00E-05 2.00 .14 .00 300.00 10000000000.00 1.00E+14 1.00E+16 10000.00 1.00E+20 1.01E+16 1.00E+14 1350.00 2.16 1.60E-19 500.00 .03 1.60E-19 2.19 1.00E+15 1.00E+14 1.00E+15 100000.00 1.00E+20 1.10E+15 1.00E+14 10000000000.00 110000.00 .30 .03 10000000000.00 10000.00 -.24 -.03 100000.00 .30 .03 2.48E-03 .54 1.00E+16 1.15E-07 8.70E-10 1.00 6.30E-08 1.59E-09 1.00 1.00E+16 1.00E+16 10000.00 1.00E+20