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* 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 教学基本要求: 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件,其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 半导体存贮器的容量和分类 1. 容量: 能够存放的二进制数码的个数,一般用字数×位数表示 如: 256 ×4 ,∵ 256=28 ∴有8条地址线;4条数据线 1024×1 ,∵ 1024=210 ∴有10条地址线;1条数据线 1024×16 ,∵ 1024=210 ∴有10条地址线;16条数据线 2. 分类: 按功能 只读存贮器ROM---使用时只读不写,内容固定或半固定 随机存取存贮器RAM---任何时刻对任意单元可读可写, 内容不固定 按工艺 双极型---TTL、ECL、I2 L 单极型---PMOS、NMOS、CMOS 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器):在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息(如程序、常数等)。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM):静态RAM DRAM (Dynamic RAM):动态RAM 7.1 只读存储器 Flash Memory 几个基本概念: 存储容量(M):存储二值信息的总量。 字数:字的总量。 字长(位数):表示一个信息多位二进制码称为一个字, 字的位数称为字长。 存储容量(M)=字数×位数 地址:每个字的编号。 字数=2n (n为存储器外部地址线的线数) 只读存储器,工作时内容只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 存储矩阵 地址译码器 地址输入 7.1.1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 一般而言,存储器由存储阵列、地址译码器、输出控制电路三部分组成 1)ROM(二极管PROM)结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=4?4 地址译码器 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1,无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时 由此看出,ROM实际上属于组合电路 在实际应用中,常以字数和字长的乘积表示存储器的容量,存储器的容量越大,意味着能存储的数据越多。例如:一个容量为256×4位的存储器,有256个字,字长为4位,总共有1024个存储单元。存储容量大时,字数通常K、M或G为单位。 若容量为1024×8 的存储器,有1024个字,10根地址线A9-A0,但其数据线有8根,每字8位。 字线 存储 矩阵 位线 7.1.2 两维译码 单译码 双译码 ---n位地址构成 2n 条字线。若n=10,则有1024条字线 --- 将地址分成两部分,分别由行译码器和列译码器共同译码 其输出为存储矩阵的行列选择,由它们共同确定欲
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