半导体物理第二章.ppt

半导体物理学 湖南科技大学物电学院 盛威 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 Si和Ge都具有金刚石结构，一个原胞含有8个原子。 原胞内8个原子的体积与立方原胞体积之比为34%，原胞内存在66%的空隙。 以硅中掺磷(P)为例： 磷原子占据硅原子的位置。磷其中四个价电子与周围的四个硅原于形成共价键，还剩余一个多余的价电子，束缚在正电中心P＋的周围。 价电子只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电电子，在晶格中自由运动。 这时磷原子就成为少了一个价电子的磷离子P＋，它是一个不能移动的正电中心。 被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED。 施主能级位于离导带低很近的禁带中 杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级。 以硅中掺硼B为例： B原子占据硅原子的位置，与周围的四个硅原于形成共价键时还缺一个电子，就从别处夺取价电子，这就在Si形成了一个空穴。 这时B原子就成为多了一个价电子的B离子，它是一个不能移动的负电中心。空穴只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电空穴在晶格中自由运动。 总结 施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子，并成为带正电的离子。如 Si中掺的P和As 受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体 中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。 如Si中掺的B 采用类氢原子模型估算施主和受主杂质的电离能 氢原子中电子的能量： 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？ 在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 在制造半导体器件的过程中，通过采用杂质补偿的方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。（参看书中图2.7） 当 ND>>NA 2.3.2 位错 线位错（在一条线附近原子的排列偏离了严格的周期性） 面位错（在一个面附近原子的排列偏离了严格的周期性） 根据实验测得： Si中位错能级在价带顶上面0.03~0.09eV处 Ge中的位错能级在导带底下面0.2~0.35eV处 都属于深受主能级 当位错密度较高时，由于它和杂质之间的补偿作用，能使浅施主杂质的n型Si、Ge中的电子浓度降低，而对p型Si、Ge却没有这种影响。 §2.1.6 深能级杂质 深能级杂质：在半导体Si、Ge中，除Ⅲ、Ⅴ族杂质在禁带中形成浅能级外，其它各族元素掺入硅、锗中也会在禁带中产生能级 特点： 1、施主杂质能级距离导带底较远，受主杂质能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。 2、深能级杂质能够产生多次电离，每次电离对应有一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。这与杂质原子的电子壳层结构、杂质原子的大小、杂质在半导体中的位置等因素都有关系。 金在锗中产生的能级 金在锗中产生4个能级， ED是施主能级，EA1、EA2和EA3是受主能级。 中性金原子只有一个价电子，它取代锗原子后，金的这一价电子可以电离跃迁到导带，形成施主能级ED。它也可以从价带接受3个电子，形成三个受主能级。 金有5种荷电状态，Au+, Au0, Au-, Au--,Au--- EC EV ED EA1 Ei EA2 EA3 0.04 0.20 0.15 0.04 金在锗中的能级 深能级的基本特点： 1、含量极少，而且能级较深，不易在室温下电离，对载流子浓度影响不大； 2、一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 3、能级位置利于促进载流子的复合，其复合作用比浅能级杂质强，使少数载流子寿命降低，称这些杂质为复合中心杂质。（在第五章详细讨论） 4、深能级杂质电离后对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 由Al, Ga, In和P, As, Sb构成9种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体： AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, 都具有闪锌矿结构 InP, InAs, InSb 2.2 III-V族化合物中的杂质能级 杂质进入Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体可以是替位式的（A、B）， A）取代Ga； B）取代As； 也可以是间隙式的（C） Ga As Ga As Ga As As Ga As Ga As Ga Ga As Ga As Ga As As Ga As Ga As Ga Ga As Ga As Ga As A B C 施主：黑实线，距离导带低的能量 受主：空心线，距离价带顶的能级 砷化镓晶体中的杂质能级 磷化镓晶体中的杂质能级 1. I族元素 一族元素在GaAs中引入受主能级： Ag: Ev+0.11 eV