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太阳能电池的制备 分类 单晶硅太阳能电池的制备 效率高、寿命长、性能优良等 单晶硅太阳能电池,是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池，是当前开发最快的一种太阳能电池。它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。 1切成片， 2经过抛磨、清洗等工序， 3掺杂和扩散， 4再采用丝网印刷法，　　 1腐蚀法 碱腐蚀法（氢氧化钠）（100) 传统不加入硅酸钠 0.1%硅酸钠 2减反射膜 二氧化钛减反射膜 二氧化钛减反射膜彩喷吐技术，不需要使用真空方法，制作设备简单．是工业上两种常用的减反射膜之一(另一种为二氧化硅) 而最佳膜层光学厚度是该波长的四分之一，此时反射率最小．接近为零。但当波长偏离波长时，反射率将增加 3多孔硅 多孔硅（porous Si），一种具有纳米结构的材料。 可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。 多孔硅表面积与体积比很大。 反射率达到了2.1％(300-1100nm) 制备多孔硅的方法主要有四种、 电化学腐蚀法(阳极氧化法） 化学腐蚀法(染色法) 化学蒸汽腐蚀法 水热腐蚀法 扩散前制备的多孔硅表面形貌 效率 　目前，国内单晶硅太阳能电池的光电转换效率已经接近20% 快速热处理法制备单晶硅太阳能电池11% 例子 中国科学院研究生院 参数17.18% 1、一种纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于该电池依次为金属Al 背电极、p型单晶硅、本征纳米晶硅薄膜、n型纳米晶硅薄膜、透明导电膜和Ag栅极 金属Al背电极的厚度为250～300微米 本征纳米晶硅薄膜的厚度为 5～10nm； n型掺杂纳米晶硅薄膜的厚度为10～15nm； 透明导电薄膜的厚度为80～120nm；所述的Ag栅极的厚度为5～10微米，栅线宽度为30～150微米，间距为2～3mm；所述的p型单晶硅厚度为250～300微米。 　 多晶硅太阳能电池的制备 目录 太阳能电池的发展方向 太阳能电池的发展方向 目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜） 工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展及原因 可供应太阳电池的头尾料愈来愈少； 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料； 多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级； 由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产； 2. 实验室高效电池工艺 关于光的吸收 降低表面光反射 [1]激光刻槽 [2]化学刻槽 应用掩膜（Si3N4或SiO2）各向同性腐蚀，腐蚀液可为酸性腐蚀液，也可为浓度较高的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，该方法无法形成各向异性腐蚀所形成的那种尖锥状结构。据报道，该方法所形成的绒面对700～1030微米光谱范围有明显的减反射作用。但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。掩膜层也可用丝网印刷的方法形成。 [3]反应离子腐蚀（RIE） 该方法为一种无掩膜腐蚀工艺，所形成的绒面反射率特别低，在450～1000微米光谱范围的反射率可小于2％。仅从光学的角度来看，是一种理想的方法，但存在的问题是硅表面损伤严重，电池的开路电压和填充因子出现下降 [4]制作减反射膜层 对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀ZnS/MgF2双层减反射膜，其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是绒面，减反射工艺也有蒸镀 Ta2O5, PECVD沉积 Si3N3等。ZnO导电膜也可作为减反材料。 金属化技术 在高效电池的制作中，金属化电极必须与电池的设计参数，如表面掺杂浓度、PN结深，金属材料相匹配。实验室电池一般面积比较小（面积小于4cm2），所以需要细金属栅线（小于10微米），一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电镀。工业化大生产中也使用电镀工艺，但蒸发和光刻结合使用时，不属于低成本工艺技术。 电子束蒸发和电镀 通常，应用正胶剥离工艺，蒸镀Ti/Pa/Ag多层金属电极，要减小金属电极所引起的串联电阻，往往需要金属层比较厚（8～10微米）。缺点是电子束蒸发造成硅表面/钝化层介面损伤，使表面复合提高，因此，工艺中，采用短时蒸发Ti/Pa层，在蒸发银层的工艺。另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。工艺中，采用了隧道结接触的方法，在硅和金属成间形成一个较薄的氧化层（一般厚度为20微米左右）应用功函数较低的金属(如钛等)可在硅表面感应一个稳定的电子积累层(也可引入固定正电荷加深反型)。另外一