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第四章 光源和光发射机 4.1 概述 4.2 发光机理 4.3 器件结构 4.4 半导体激光器的特性 4.5 光发射机 4.1 概述 在光纤通信中,将电信号转变为光信号是由光发射机来完成的。 光发射机的关键器件是光源: LED LD 光纤通信对光源的要求 光源发射的峰值波长,应在光纤低损耗窗口之内; 有足够高的、稳定的输出光功率,以满足系统对光中继段距离的要求; 电光转换效率高,驱动功率低,寿命长,可靠性高; 单色性和方向性好,以减少光纤的材料色散,提高光源和光纤的耦合效率; 易于调制,响应速度快,以利于高速率、大容量数字信号的传输; 强度噪声要小,以提高模拟调制系统的信噪比; 光强对驱动电流的线性要好,以保证有足够多的模拟调制信道。 最常用的光源 光纤通信中最常用的光源是: 半导体激光器(LD) 发光二极管(LED) 尤其是单纵模(或单频)LD,在高速率、大容量的数字光纤系统中得到广泛应用; 近年来逐渐成熟的波长可调谐激光器是多信道WDM光纤通信系统的关键器件,越来越受到人们的关注。 常用的调制方法 直接调制 注入调制电流实现光波强度调制 外调制 通过外腔调制器对光的强度、相位或频率进行调制 直接调制光发射机 光外腔调制发射机框图 外调制示意图 4.2.1 发光机理 我们知道,白炽灯是把被加热钨原子的一部分热激励能转变成光能,发出宽度为1 000 nm 以上的白色连续光谱。 发光二极管(LED)却是通过电子在能带之间的跃迁,发出频谱宽度在几百 nm 以下的光。 在构成半导体晶体的原子内部,存在着不同的能带。如果占据高能带(导带)的电子跃迁到低能带(价带)上,就将其间的能量差(禁带能量)以光的形式放出。这时发出的光,其波长基本上由能带差所决定。 图4.2.1 半导体发光原理 在构成半导体晶体的原子内部,存在着不同的能带; 如果占据高能带(导带)的电子跃迁到低能带(价带)上,就将其间的能量差(禁带能量)以光的形式放出; 这时发出的光,其波长基本上由能带差所决定。 图4.2.2 光的自发辐射、受激发射和吸收 自发辐射---LED工作原理 如果把电流注入到半导体中的P-N结上,则原子中占据低能带的电子被激励到高能带后; 当电子从高能带跃迁到低能带时,将自发辐射出一个光子,其能量为 hv。 电子从高能带跃迁到低能带把电能转变成光能的器件叫 LED。 自发辐射---LED工作原理 当电子返回低能级时,它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此,这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向,它们可以向各自方向传播。 同时,高能带上的电子可能处于不同的能级,它们自发辐射到低能带的不同能级上,因而使发射光子的能量有一定的差别,使这些光波的波长并不完全一样。 因此,自发辐射的光是一种非相干光。 光接收器件原理 如果把光照射到占据低能带的电子上; 则该电子吸收光子能量后,激励而跃迁到较高的能带上。 在半导体结上外加电场后(反向电压),可以在外电路上取出处于高能带上的电子,使光能转变为电流。 这就是将在第五章中叙述的光接收器件。 受激发射和受激吸收 受激发射----能量等于导带和价带能级差的光所激发而发出与之同频率、同相位的光; 受激吸收----当晶体中有光场存在时,处在低能带某能级上的电子在入射光场的作用下,吸收一个光子而跃迁到高能带某能级上。在这个过程中能量保持守恒。 受激吸收的概率与受激发射的概率相同。 当有入射光场存在时,受激吸收过程与受激发射过程同时发生,哪个过程是主要的,取决于电子密度在两个能带上的分布。 若高能带上电子密度高于低能带上的电子密度,则受激发射是主要的,反之受激吸收是主要的。 激光器工作在正向偏置下,当注入正向电流时,高能带中的电子密度增加,这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子,形成激光器中初始的光场。 在这些光场作用下,受激发射和受激吸收过程同时发生,受激发射和受激吸收发生的概率相同。 LD发射激光的首要条件---粒子数反转 LD 发射激光的 第二个条件---光学谐振腔 另一个条件是半导体激光器中必须存在光学谐振腔,并在谐振腔里建立起稳定的振荡。 有源区里实现了粒子数反转后,受激发射占据了主导地位,但是,激光器初始的光场来源于导带和价带的自发辐射,频谱较宽,方向也杂乱无章。 为了得到单色性和方向性好的激光输出,必须构成光学谐振腔。 Fabry(1867~1945) Perot(1863~1925)法国物理学家 法布里-珀罗(Fabry-Perot)光学谐振器 镀有反射镜面的光学谐振腔只有在特定的频率内能够储存能量,这种谐振腔就叫做法布里-珀罗(Fabry-Perot)光学谐振器。 它把光束闭锁在腔体内,使之来回反馈。当谐振腔内的前向和后向光波发生相干
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