薄膜生长动态电阻.pdfVIP

薄膜生长的动态电阻特性测量 本实验是学生接触薄膜物性和薄膜器件制造的开始，通过对薄膜电阻的动态监测，观 测薄膜形成的过程，探讨物理生长的机理。通过自己查阅参考资料和相关文献，深入了解 薄膜生长的基本理论和薄膜微观结构、薄膜材料的物理特性、薄膜器件加工工艺等知识。 【实验目的】 1. 学习直流溅射镀膜的方法，寻找最佳的镀膜工艺。 2. 掌握薄膜生长过程中的电阻动态监测方法，初步了解薄膜形成的机理。 3. 设计简单的薄膜器件制备方案和工艺。 【实验原理】 一、薄膜生长的机理简介 在薄膜沉积的过程中，到达基片的原子不仅与样品制备室中其它原子相互作用，同时 也与基片分子相互作用，形成有序或无序排列的薄膜。薄膜的形成过程和薄膜结构决定于 原子的种类、基片的种类及工艺条件。从薄膜的生长过程来看，可分为三类： 成核生长型——生成三维的核； 层生长型——单层生长； 层核生长型——前面两种形式的迭加。 1. 成核生长型：这种类型成膜的特点是，到达基片的原子首先凝结成核，后来的原子不断 聚集在核附近，使核沿着三维方向不断生长成为岛，进而这些岛相互连接成通道网络，最终 形成薄膜。大部分薄膜的形成过程都属于此种类型。电子显微镜和理论分析的结果表明，核 生长型薄膜的生长过