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CCD成像器件的技术现状和发展趋势 CCD成像器件 简介 技术现状 发展趋势 CCD成像器件简介 CCD（Charged Coupled Device，电荷耦合器件）是由一系列排得很紧密的MOS电容器组成。它的突出特点是以电荷作为信号，实现电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 光电像管—超正析像管—视像管—氧化铅管—硅靶管—CCD CCD是20世纪70年代初发展起来的新型半导体光电成像器件。美国是世界上最早开展CCD研究的国家,也是目前投入人力、物力、财力最多的国家,在此应用研究领域一直保持领先的地位。贝尔实验室是CCD研究的发源地,并在CCD像感器及电荷域信号处理方面的研究保持优势。在CCD传感器和应用电视技术方面,美国以高清晰度、特大靶面、低照度、超高动态范围、红外波段等的CCD摄像机占有绝对优势。这些产品不仅价格昂贵、而且又受到国家的严格管制。 CCD技术现状 日本索尼公司在1979年首先实现了R、G、B分路彩色摄像机。1980年,日立公司首先推出单片彩色CCD摄像机。1998年日本采用拼接技术开发成功了16384×12288像元即(4096×3072)×4像元的CCD图像传感器。由于日本本国的新产品更新换代速度很快,所以无论产品的产量还是质量都占据世界首位。