03.高介电容器瓷.ppt

§3.1 概述 §3.2 电容器瓷的介电特性 §3.3 高频电容器瓷的主要原料 §3.4 中高压陶瓷电容器瓷 Ⅰ类瓷是电容量随温度变化稳定度高的电容器瓷，主要用于高频谐振回路中。Ⅰ类瓷主要以钛、锆、锡的化合物及固溶体为主晶相。（主要用于：高频热稳定电容器瓷，高频热补偿电容器瓷） Ⅱ类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的铁电强介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低频高介电容器瓷） Ⅲ类瓷：半导体陶瓷 §3-2-1 高介电容器瓷的分类 §3-2-2 值不同的原因 §3-2-3 ε的对数混合法则 §3-2-4 产生高介电系数的原因 §3-2-5 含钛陶瓷的介质损耗 a、TiO2、CaTiO3以电子位移极化为主 b、CaSnO3、CaZrO3等以离子位移极化为主 §3-2-3 ε的对数混合法则 金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产生强烈的离子位移极化和电子位移极化，使得作用在离子上的内电场得到显著加强，故ε大。 钛酸锶铋也是利用SrTiO3钙钛矿型结构的内电场，而加入钛酸铋等，使之产生锶离子空位，产生离子松弛极化，从而使ε增大。 低温下高频电容器瓷的tgδ较小，但在一定的频率下，当温度超过某一临界温度后，由离子松弛极化和电子电导所引起的大量能量损耗，