反烧结Si3N4复合陶热力学分析.pdfVIP

2014年 ·第 5期 技术与研究 材料科技与设备 反烧结 Si3N4复合陶热力学分析 马艳霞 ，邓春锋 (中国船舶重工集团公司第七二五研究所 ，河南 洛阳 471000) 摘要：以TiSi2一sic—N2体系反应制备Si3N—TiN—SiC复相陶瓷材料进行理论分析和理论计算，通过对TiSi2--SiC — N2体系的DSC试验和XRD检测来研究TiSi2与N2的反应温度区间。结果表明：TiSi2和 N2在 2000K以下在热力学上 可以发生反应，而TiSi2不分解；DSC结果发现在 1105℃以上TiSi2与N2开始反应。 关键词：氮化硅；陶瓷；反应烧结；热力学 中图分类号：TM285 文献标识码：A 0 引言 ( )：一 (1) 式中 △H牛一反应焓变 (KJ·mol )，可由吉尔霍 氮化硅 (si。N)是强共价性的精细陶瓷材料，具有优 夫公式求得到： 良的性能，在现代化工业上应用广泛[1]。但 由于 SisN4 d(△HT0)一ACPdT (2) 陶瓷脆性大的缺点，大大限制了其应用范围，因此改善其 ACp一 + T+ T- + T (3) 韧性、提高可靠性一直是氮化硅的研究方向。近年来，向 将式3)代入式 (2)，积分得到反应焓变与温度关系 Si。N 基体材料中引入第二相粒子增韧，由于其方法工艺 表达式： 简单、价格便宜，易于大规模生产等优点而得到广泛的研 究_4]。热力学决定化学反应的方向及最终产物的相组成， △H 一△H‰8+ T+专 T一 r +÷ T。 对反应合成反应热力学的理论计算 ，有助于解释反应合成 (4) 反应机理、反应产物的相组成、生长形态，并更好的控制 将得到的表达式 (4)代人式 (1)，积分得： 工艺参数 ，从而可以减少实验的盲 目性，为实验提供有效 的理论指导。由TiSi2一SiC—N2体系合成 Si3N4一TiN— △ 一△H‰8一 T1T一÷ T一专 r SiC陶瓷的合成过程复杂，分析和了解它的反应过程和机 一 ÷ T。+Xr (5) 理 ，对于进一步改进和优化合成工艺 ，获得优质的 sisN O 基复合陶瓷具有重要意义。 积分常数 x可由常温条件下 (298K)已知 的 ‰ 、 △H’Iz9s求得，代入到式 (5)即可计算上述各个反应的标 1 实验方法 准Gibbs自由能随温度的变化。 在TiSiz—SiC—N2体系反应合成过程中，可能存在如 利用德国Netzsch公司生产的STA449C差热扫描分析 下化学反应 ： 仪研究TiSiz粉末和Nz的反应温度 以及反应烧结后样品在 TiSi2+ 1N 空