110V体硅LDMOS器件研究.pdfVIP

维普资讯 第 7卷 第 2期 南通大学学报 (自然科学版) Vol|7 No．2 2008年 6月 JournalofNantongUniversity(NaturalScienceEdition) Jun．2008 11OV体硅 LDMOS器件研究 罗向东，别、 玲 ，陈海进 ，刘焱华，孙海燕，徐炜炜，陶 涛，程梦璋 ，景为平 (南通大学 江苏省专用集成电路设计重点实验室，江苏 南通 226019) 摘 要 ：利用SILVACOTCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了 110V体硅 LDMOS器件 的几个重要参数对器件耐 压特性的影响．研究结果表 明，漂移 区剂量存在一个最优值 ，过大将 导致漂移 区难 以耗尽而使得沟道与漂移 区边 界发生击穿．而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿；衬底浓度低对提高开态击穿