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5压力检测及仪表,压力检测仪表,过程参数检测及仪表,过程检测技术及仪表,智能检测技术及仪表,检测技术及仪表,压力检测仪,智能压力检测系统,检测仪表,压力管道检测
压力检测及仪表 一、概述 在工业生产过程中,经常要对压力进行检测,如熔炼炉、加热炉就要适当的控制炉膛压力及烟道压力,来获得良好的热工效果。又如许多冶金物化反应,对反应空间的压力有一定的要求,某些在常压下不能发生反应,需要高压或一定的真空度下才能反应等等。另外,要测量某些流体的流量,也是通过压力来测量的,如孔板流量计。因次,对压力的检测是常见而非常重要的。 压力检测的基本知识 1.压力的单位(这里的压力指压强:单位面积所受的力) 2.压力表示方法: 1)绝对压力 ;2)表压力(相对压力);3)负压力(真空度) 3.压力表分类: (按信号转换原理不同)分为以下四类: 1)液柱式压力计 将被检测压力转换成液柱高度差进行测量的压力计. 如:U形管压力计,斜管压力计等. 2)弹性式压力计 将被测压力转换成弹性元件变形所引起的位移而进行测量的压力计. 如:弹簧管压力计,波纹管压力计,膜盒压力计. 3)电气式压力计 将被测压力转换成电量进行压力测量的压力计。 如:压电式压力计、应变片式压力计、霍尔压力计。 4)活塞式压力计 将被测压力转换成活塞上所加砝码重量进行测量的压力计。它是一种标准型压力计,对其它类型的压力计进行校验。 一.霍尔压力传感器 属于位移式压力传感器,是利用霍尔效应,是将P作用下所产生的弹 性元件的位移信号转变成电势信号来测量压力。 P→弹性元件(变形)→霍尔效应→V(mv)→显示 1)霍尔效应 霍尔片是一块锗半导体薄片。 当霍尔片中流过电流时,电子受磁场力(方向可由左手定则确定)的 作用,其运动方向(与电流方向相反)将发生偏移,使得在“X轴方向的 一个端面上造成电子积累而形成负的表面电荷,而在另一端面上则正电 荷过剩,于是在“X轴方向出现了电场。由于电场的建立,产生了电场 力,电场力阻止电子的偏移。当磁场力与电场力相平衡时,电子积累达 到了动态平衡,这时就建立了稳定的霍尔电势: 式中:RH—霍尔常数(视霍尔片材料、结构而定) 2)霍尔压力传感器 基本结构(如图) a)压力—位移转换部分 霍尔片、弹簧管组成 b)位移—电势转换部分 霍尔片、磁钢及引出线 c)稳压电源 二.压电式压力传感器 利用压电材料(功能材料)的压电效应做成的传感器 1)压电效应 压电材料在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变性,并在其表面上产生电荷,去掉力时,又回到原不带电的状态。在蛋形范围内,电荷为: 式中:S—作用面积; K—压电常数 常用压电材料:石英晶体、压电陶瓷(钛酸钡陶瓷;钛酸鉛系列陶瓷) 2)压电式压力传感器 结构:(如图) 压电元件夹于两弹性片之间,一膜片接地,另一膜片通过金属箔和引出线 将电量引出。 特点: 体积小,结构简单,工作可靠;动态质量小,固有频率高,不需外加电源;适应工作频率高的压力测量,范围0~70MPa;输出阻抗高;温度效应较大,环境适应有限。 三.电容式压力传感器 1、原理 将被测压力通过弹性膜片的位移转换为平行板电容器的电容量 平行板电容器电容量为 式中: —平行极板间的介电常数; s—极板的面积; d—平行极板间的距离 电容变换器通常有: a)变间隙式(d) b)变面积式(s) c)变介电常数(E) 2、变间隙式电容压力传感结构: 差动电容的活动极板 感压元件:弹性膜片(弹性稳定性好特殊合金制成,如合氏合金、蒙耐尔合金等)可左右移动约0.1 mm的距离。 固定电极供极板 在弹性膜片左右有两个用玻璃绝缘体磨成的球形凹面,采用真空渡膜法在该表面镀上一层金属薄膜,作为差动电容的固定极板。 弹性膜片位于两固定极板的中央,它与固定极板构成两个测压室,压室填充硅油。 三、压阻式压力传感器 1、原理 基于单晶硅半导体的压阻效应而构成的。 采用单晶硅平膜片为弹性元件,在单晶硅平膜片上利用集成电路工艺, 在单晶硅的特定方向制成扩散压敏电阻。 单晶硅平膜片在微小变形时有良好的弹性特性。当硅片受压后,膜片的 变形使扩散电阻的阻值发生变化。 相对电阻变化为: 式中 Ke —压阻系数; —应力 2、压阻式压力传感器的结构 单晶硅平膜片的扩散电阻通常做成桥式测量电路,相对的桥臂电阻对称布量,电阻变化时,电桥输出电压与膜片所受压力成
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