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多晶硅太阳电池表面酸腐蚀织构化研究 邵爱军，施正荣 （无锡尚德太阳能电力有限公司，无锡 214028） 摘 要：本文主要研究了多晶硅片表面的酸腐蚀织构化。通过对腐蚀后的硅片表面光反射的测量和SEM形貌的分析，对比了三种实验方案的结果，得出了适合于大规模工业生产需要的腐蚀方案——HF、HNO3与CH3COOH的混合腐蚀。 关键词：多晶硅，太阳电池，酸腐蚀，织构化 0．引言 太阳电池直接将太阳能转化为电能，这被公认为是解决能源和环境问题的最有效的途径之一。自1954年贝尔实验室研制出第一块太阳电池以来，人们对太阳电池技术的研究和产业化作出了巨大的努力。到目前为止，研制成功的太阳电池已超过100余种。根据最近PHOTON International杂志的统计，2001年全球52家电池制造厂家的生产总量已达到了401.4MW，比2000年世界电池总产量287.3MW增长了39.7%。2001年，晶体硅电池技术仍然占据市场的主导地位，占84.8%的市场份额，与2000年85.6%的市场份额相比略有减少。多晶硅电池的份额继续取代单晶硅电池的市场占有率，生产量占50.2%（201.6MW），而单晶硅生产量只占到34.6%(138.7MW)。如图1所示。而在两年前，这两种硅技术有着差不多的市场份额（多晶：42.1MW，单晶：40.8MW）。但是到了2000年，多晶硅的生产量有了一个较大的飞跃，市场份额占到48.2%（138.5MW），而单晶生产所占市场份额下降至37.4%(107.4MW)。 与单晶硅相比，多晶硅的主要不足在于绒面的形成上。对于单晶硅材料，利用择优腐蚀的原理在硅片表面制得了类似金字塔的形貌，获得了比较好的减反射效果。对于多晶硅，由于晶粒取向的不一致，择优腐蚀受到限制。目前提出的多晶硅表面织构化的方法很多，主要有表面酸腐蚀织构化，激光织构化，机械织构化，光刻加化学腐蚀织构化等。其中酸腐蚀织构化工艺简单，成本低廉，应用前景广阔，是当前的研究热点之一。 1．实验原理及过程 1．1硅的酸腐蚀机理 通常应用的硅的酸腐蚀液包含氧化剂（如HNO3）和络和剂（如HF）两部分。一方面通过HNO3与硅的氧化作用在硅的表面生成SiO2，另一方面通过HF对SiO2的络和作用生成可溶性的络和物，从而完成对硅的腐蚀过程。反应机理如下： 硅被HNO3氧化，反应为： 用HF去除SiO2层，反应为： 总反应为： 1．2实验设计和过程 本实验中所使用的多晶硅片是德国公司生产的掺硼的p型基片。腐蚀前把硅片切割成3cm×3cm×270μm的小片。具体实验过程为：在室温下把多晶硅片直接放入盛有一定配比的酸腐蚀液中，同时开始计时，腐蚀结束后，立即取出硅片，用大量的去离子水清洗，再用干燥的氮气吹干。然后测试硅片表面对光的反射率，并在扫描电镜下观察表面的形貌并拍摄电镜照片。 具体实验设计如下： 不同HF?HNO3配比腐蚀多晶硅的试验。 在HF?HNO3的混合液中加入缓冲剂H3PO4。 在HF?HNO3的混合液中加入缓冲剂CH3COOH。 2．实验结果与分析 在HF与HNO3的混合液中腐蚀，得到如图2的反射率曲线，其中硅片a腐蚀后的表面SEM照片如图3。表面腐蚀坑均匀，反射率也很低。但此种方案的腐蚀时间很难控制，由图2可见，腐蚀时间对反射率的影响很大，在大规模工业生产中，不宜采取此种方案。 在HF、HNO3与H3PO4的混合液中腐蚀，得到如图4的反射曲线，其中硅片e的SEM照片如图5。在实验过程中发现，加入H3PO4后，反应速度的下降并不是很明显，且由图4可见，反射率受时间影响很大，经过测量硅片的厚度还发现，对硅片经过此种腐蚀液的腐蚀后，平均去除了超过100μm的厚度，对于大规模工业生产而言，产品的成品率很难控制。 HF、HNO3与CH3COOH的混合液腐蚀是本实验得出的最佳方案。反射曲线如图6所示， 硅片i，k，m的SEM照片如图7所示。在实验过程中发现，加入CH3COOH后，反应速度下降十分明显。由图6可见反射率受时间影响很小，在大规模的工业生产中是完全可以控制的。并且，此方案只需要将硅片腐蚀掉25μm左右，就可以得到很低的反射率。因此，此方案是大规模工业生产中极具应用价值的方案。 3．结论 本文采用混合酸溶液对多晶硅的表面进行了织构化处理。综合SEM形貌分析和反射率的测试结果，对比三种方案的结果，可以得出：用HF、HNO3与CH3COOH的混合液对多晶硅片进行腐蚀，在硅片表面得到很均匀的腐蚀坑、很低的光反射。且腐蚀后硅片表面相对平整，从而可以制得相对平整的p-n结，有利于提高电池的稳定性和丝网印刷的效果。因此，实验中的第三种方案对大规模工业生产具有极其重要的指导意义。 4．致谢 在本文完成期间得到尚德太阳能电力有限公司技术开发部汪义川，吕宝堂二位工程师的悉心指导