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2017-08-22 发布于山西
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MEMS可变电容的研究现状及进展.pdf

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MEMS器件与技术 MEMS DeviceTechnology MEMS可变电容的研究现状及进展李玲玉1’2，童富h2，杨月寒1’2，赵建明刘海文2 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054； 2．中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，成都 610209) 有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点，阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理，列举了现有的几种典型结构模型。通过指定频率下Q值及调谐范围的具体数值，比较不同结构的MEMS可变电容的特点，展望了MEMS可变电容的发展并得出结论。关键词：平行板可变电容；面积调谐可变电容；微机电系统(MEMS)；Q值；调谐范围；射频中图分类号lTH703；TM532．5 and of Status MEMSVariable Progress Capacitors Li Yuehanl”，Zhao Haiwen2 Lingyul”，TongFul“，Yang Jianmin91，Liu and (1．State ElectronicThinFilms Devices， KeyLaboratoryof Integrated ElectronicScienceand of 610054，China； University TechnologyofChina，Chengdu 2．State KeyLaboratoryofOpticalTechnologiesforMicrofabrication。InstituteofOpticsElectronics。 Chinese 610209，China) ofSciences，Chengdu Academy basedonthemicro—electronmechanical Abstract：Variable capacitors areintroduced．Thehavethemeritsof and capacitors Q，lowlOSS，widetuningrange gY high lownoise．Thebasic forMEMSvariable is several design capacitorspresented，and principle structureare characteristisofMEMSvariableca—