添加多晶硅废料制备SiCSi3N4复相结合SiC耐火材料.pdfVIP

第43卷 第9期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．43 No．9 2014年9月 J0URNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS ~eotember．2014 添加多晶硅废料制备 SiC／Si3N4复相 结合 SiC耐火材料 王 婷，李 勇，孙加林 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) 摘要：以碳化硅、多晶硅废料、金属硅粉为原料，纸浆废液为结合剂，采用反应烧结工艺制备 SiC／Si，N 复相结合 SiC 耐火材料。运用热力学分析了利用多晶硅废料代替部分工业金属硅粉和碳化硅细粉制备SiC／Si，N 复相结合 SiC 耐火材料的理论可行性。系统地分析了单质硅氮化机理，提出si首先与N：中的微量氧反应形成气态 SiO，至体系 氧分压降至P 、／P。1×10 ，si直接氮化。研究了多晶硅废料对材料物相组成和微观结构的影响。结果表 明：利用多晶硅废料制备的SiC／Si，N 复相结合SiC耐火材料性能优异；多晶硅废料的添加使反应生成的结合相由 原先单一的SiN 变为 sN 和 p—SiC，两结合相发挥各 自的性能优势；多晶硅废料中的硅粉粒径小，活性大，与工 业金属硅粉共存时能发生逐级氮化作用，增加了纤维状 SiN 含量，优化了材料结构。 关键词：多晶硅废料 ；SiC／SiN 复相结合SiC；热力学 中图分类号：TQ175 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2014)09-2198-07 PreparationofSiC／Si3N4BondedSiC RefractorybyAddingKerfLossSilicon WANGn凡g， yo ，SUNJia—lin (SchoolofMaterialScienceandEngineering，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing100083，China) (Received21Apr／l2014，accepted12June2014) Abstract：SiC／Si3N4bondedSiC refractorywassuccessfullypreparedbyreacitonsintefingprocessusing siliconcarbide，kerflosssilicon，siliconpowderasrawmaterials．Thetheoreticalfeasibilityofusingkerr losssilicon toprepareSiC／Si3N4bondedSiC refractory replacingpartialindustrialsilicon powderand silicon carbide powder were analyzed using thermodynamic． Nitridation mechanism of silicon was analyzedsystematicallyandshown asfollowed：Siliconwasoxidizedtoform gaseousSiO firstly．Silicon reactedwithnitrogen directlytofomr Si3N4untilthesystem oxygen partialpressurewasreduced tobe P(o，)／P。 1×10-18．9 ． Effectsofkerflosssilicon on thephase composition and microstructureof specimen were investigated． The results revealed that th