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Power MOSFET IC的结构与电气特性 03.pdf
Power MOSFET IC的結構與電氣特性 (下) 第 1 頁 ，共 15 頁
【設計論壇】
Power MOSFET IC的結構與電氣特性 (下)
宇量
MOSFET IC的switching特性
a.gate charge電荷量與switching特性
圖16是輸入動態(dynamic) 特性，假設從VGS=0V到Vth的充電期間為Qth ，curve變成完全平坦時的點，亦即可以使source-gate之間容量結
束充電稱為Q 。根據圖16顯示從該點開始drain-source之間的電壓變化非常激烈，歸返容量C 作為mirror容量也有變大趨勢，充電期
gs ress
間會使該平坦部位的mirror容量成為Q ，從該處到2SK3418規定的10V驅動電壓V 點，則變成total gate charge量Q ，以圖16為例V =
gd gs g gs
10V時的Q ，大約是183nC。
g
由於Q 驅動gate所以它是決定gate峰值電流i ，與驅動損失P 等特性的重要參數，峰值電流i 與驅動損失P 可用
g g(peak)
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