场效应管特性研究-陶叶敏.pptVIP

湖南人文科技学院毕业论文（设计） 场效应管特性研究 场效应管特性研究 1.场效应管分类 2.场效应管的结构及工作原理 3.场效应管特性曲线 4.场效应管放大电路 5.MOS场效应管的主要参数 研究背景： 从电子工业进入集成电路时代以来，经过多年的发展，场效应管在集成电路系统中扮演着越来越重要的作用。由于场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，有逐渐取代三极管的趋势。根据预测，电子技术发展大到21世纪前半叶，主流技术仍将是CMOS为主流的场效应管相关技术。鉴于场效应管在现代集成电路领域不可或缺的重要作用，对于场效应管特性方面的研究变得十分重要。 1.场效应管分类 场效应是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，可分为绝缘栅型（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。 2.场效应管的结构和工作原理  2.1结构 2.2 工作原理 见图2.3，当 VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流id的影响。（设VT =2V，VGS =4V （a）VDS=0时，id=0。 （b）VDS 增大，id也随之增大，同时沟道靠漏区变窄。 （c）当VDS增加到使VGD＝VGS－VDS＝VT时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断。 （d）VDS再增加，预夹断区加长，VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，id基本不变。 3.场效应管的特性曲线 （c）饱和区（恒流区又称放大区） 当VGS ≥VT ，且VDS≥（VGS－VT）时，MOSFET已 进入饱和区。 3.2转移特性 4.场效应管放大电路 4.2 交流小信号模型 如图4.3所示场效应管电路，当信号较小时，管子的电压、电流仅在Q点附近变化，可以认为是线形的，与近似为常数，用有效值表示：  致谢： 在本文的写作过程中，首先我要感谢指导老师张艳蕾老师对我论文工作的大力支持，包括学术论文的阅读方法、创作思维的启发与引导。另外，在程序的编写过程中张艳蕾老师给我提了许多很好的建议，这对我论文的顺利完成起了莫大的帮助。其次要感谢朱高峰老师和刘娟仪老师，从论文的选稿到最终的定稿，他们都给了我最无私的指导和帮助。同时也要感谢大学四年以来所有的老师们，是你们的无私教诲，给我们的专业知识打下坚实的基础，如此我才能顺利的完成论文。最后要感谢各位同学与朋友对我的支持和鼓励。谢谢你们！ * * 物理系 07级电科2班 陶叶敏 N沟道增强型MOSFET 的结构 示意图和符号见图 2.1 图2.1增强型MOSFET的结构 下面以N沟道增强型MOS管为例介绍其结构和工作原理。 见图2.2，当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 当VDS=0且VGS＞0V时， g、b极间存在纵向电场会将靠近栅极下方的空穴向下排斥，留下带负电的离子从而形成耗尽层。再增加VGS，纵向电场随之增大，将P区少子电子聚集到P区表面会形成导电沟道（反型层、感生沟道），如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 (1)栅源电压VGS的控制作用 图2.2栅源电压 VGS的控制作用 （2）漏源电压VDS的控制作用 图2.3漏源电压 VDS的控制作用 以N沟道增强型MOSFET为例，研究其 输出特性和转移特性。 图3.1为N沟道增强型MOSFET 输出特性曲线。 图3.1 N沟道增强型MOSFET 输出特性曲线 3.1输出特性 (a)夹断区（截止区） 当VGS VT时，导电沟道尚未形成，ID=0， 为截止工作状态。 (b)可变电阻区 在可变电阻区内 VDS≤（VGS－VT） 其中 为电导常数 单位：mA/V2 图3.1 N沟道增强型MOSFET 输出特性曲线 rdso是一个受VGS控制的可变电阻 。 式中 是VGS＝2VT时的iD 。 所谓转移特性是指在漏源电压VDS一定的条件下，栅源电压VGS对漏极电流ID的控制特性，即 如图3.2为某一N沟道增强型MOSFET的 转移特性曲线。 图3.2 N沟道增强型MOSFET 的转移特性曲线 与晶体管的共射、共