薄膜材料的表征方法(一).pptVIP

薄膜材料的表征方法（一）  ANALYTICAL TECHNOLOGIES OF THIN FILMS（1） 谭永胜 2004.11.1 Abstract Introduction General idea and category X-ray diffraction (XRD) X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) Introduction 薄膜(thin film)材料是相对于体材料而言的，是人们采用特殊的方法，在体材料的表面沉积或制备的一层性质与体材料性质完全不同的物质层。 Introduction 在各种薄膜制备与使用过程中，普遍关心 以下几个方面： （1）薄膜的厚度测量； （2）薄膜结构和表面形貌的表征； （3）薄膜成分的分析。 对于不同用途的功能薄膜材料，还需测量其电学、光学、声学、力学、热学、磁学等性质。 General idea and category General idea: beam in and beam out。 通过探测出射粒子流的强度分布以及q\m、E、θ、φ 等参数来分析样品的性质。 General idea and category A: elastic or inelastic scattering. B: emitted particles from the sample. General idea and category General idea and category General idea and category AES (Auger electron spectroscopy)俄歇电子能谱 LEED (low energy electron diffraction)低能电子衍射 MEED (medium energy electron diffraction)中能电子衍射 RHEED ( reflection high energy electron diffraction)反射高能电子衍射 RBS (Rutherfold backscattering)卢瑟福背散射 SEM (scanning electron microscopy)扫描电子显微镜 SIMS (secondary ion mass spectroscopy)二次离子质谱 TEM (transmission electron microscopy)透射电镜 UPS (ultra-violet photoelectron spectroscopy)紫外光电子谱 XRD (x-ray diffraction) X射线衍射 XPS (x-ray photoelectron spectroscopy) X射线光电子谱 STM (scanning tunnel microscopy) 扫描隧道显微镜 AFM (atomic force microscopy) 原子力显微镜 General idea and category Depth: elliptical polarization Structure：XRD、LEED、RHEED、TEM Composition：XPS、UPS、AES Surface topography: SEM、SPM Optics：UV-Vis Electricity: Hall、I-V、C-V X-ray diffraction The process of X-ray. X-ray diffraction X-ray diffraction 布喇格定律： Cu原子Ｋα线： X-ray diffraction 对不同的晶体，其晶体结构和原子间距不同，因而晶面间距也不同． X-ray diffraction 右图为晶面指数示意图，对立方晶系： X-ray diffraction XRD spectra of KBr powder X-ray diffraction XRD spectra of ZnO (002) peak deposited on glass. X-ray diffraction X-ray diffraction Scherrer equation: X-ray diffraction The strain and stress along the c-axis: X-ray diffraction X-ray diffraction 小结 用途：分析晶体结构。 原理：Bragg定律。 特点：a.可分析晶体取向以及结晶程度。 b.空间分辨本领较低。 X-ray photoelectron spectro