Cd(Ⅱ)-btec配聚物的合成、结构及光电性能.pdfVIP

V01．34 高等学校化学学报 No．8 CHEMICALOFCHINESEUNIVERSITIES 1833～1839 2013年8月 JOURNAL 金 晶，丁 榆，李 丹，迟玉贤，牛淑云 (辽宁师范大学化学化工学院，大连116029) 学不等效的cd(Ⅱ)离子，分别为六配位和八配位，均通过btec4一基团桥连成具有3D无限结构的配聚物．二 者区别在于：2个配聚物中Na(I)离子的配位环境不同，且配聚物2中存在游离水分子．表面光伏技术研究 结果表明，2个配聚物在300～500am范围内呈现出明显的光伏响应，表明它们具有一定的光一电转换能力． 对配聚物的表面光电压谱(SPS)与紫外-可见吸收光谱(uV—Vis)进行了关联，并对配聚物进行了x射线衍射 (XRD)和热重(TG)分析． 关键词cd(Ⅱ)配聚物；水热合成；结构；光电性能 中图分类号0614．24 文献标志码A 含cd(Ⅱ)配合物由于镉具有多变的配位数而表现出不同的结构类型【l’2J．其在电化学∞J、催 配合物显示了较强的固体发光性质；Qiu等¨¨合成的系列cd(Ⅱ)配聚物具有光敏性质；Li等一。合成 附和解吸附作用是可逆的．实际上，这些不同类型的含镉配合物所呈现出的不同性能都与配合物自身 以及中心金属离子外层电子的变化行为密切相关．表面光电压谱(SPS)是捕捉固体表面及界面电荷变 化的有效手段，它不仅与由光吸收引起的电子跃迁过程有关，更能直接反映光生电荷的分离和转移特 性．目前，已被成功应用到光激发表面相互作用的电子转移、染料的敏化过程、光催化研究以及固体 材料表面和相间的电荷转移过程等方面¨2—5。．但关于配合物表面及界面电子行为的报道还不多见． 近年来，我们实验组¨6’”1利用SPS技术研究了某些过渡金属配合物的表面电子行为及光．电转换性能． 本文利用表面光伏技术测定了2种含cd(II)配聚物的表面光电压光谱，分析讨论了它们的光电性能， 并与其紫外一可见光谱进行了关联． 1 实验部分 1．1试 剂 所用试剂均为分析纯，其中氯化镉为Alfa Aesar化学试剂公司产品，1，2，4，5一苯四甲酸和氨三乙酸 为百灵威化学试剂公司产品． 1．2测 试 表面光电压谱在自组装的SPS光谱仪上完成，测量范围为300～800 nm，电极为氧化铟和氧化锡 复合物(ITO)导电膜，光电压池为ITO／样品／ITO的三明治式结构．采用13本JASCOV-570型紫外．可 见一近红外光谱仪在200～2500 FTIR-480型红外光谱仪在4000～220 收稿日期：2012．10-05． 基金项目：国家自然科学基金(批准号和辽宁省教育厅项目(批准号：L2011193)资助 联系人简介：牛淑云，女，教授，博士生导师．主要从事配位化学研究．E-mail：syniu@sohu．corn 万方数据 1834 高等学校化学学报 V01．34 Diamond ⅡICP仪上测定．热重分析在N：气环境下，采用Perkin—ElmerPyris TG／DTA分析仪，在30～ D8 Advance 1100℃温度范围内进行．在室温下，采用Bruker X射线粉末衍射仪，以Cu硒射线为辐射 源(A=0．15418am)，在20=5。～800范围内收集配聚物的衍射数据． 1．3配聚物的制备 1．3．1