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2017-08-21 发布于北京
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第46卷第4期原子能科学技术 V01．46，No．4 Atomic Scienceand 2012年4月 Energy Technology Apr．2012 单漂移聚束腔的改进陈红涛，赵芳 (中国原子能科学研究院核效据重点实验室，北京102413) 摘要：为扩展中国原子能科学研究院高压倍加器的n8脉冲束的能区范围，研制了一种新的聚束装置，使 keV 该加速器从仅能提供300 ns脉冲束，扩展到能提供100～400keV整个能区的ns脉冲柬。关键词：高压倍加器}ns脉冲柬；单漂移聚柬腔中图分类号：TL51 文献标志码：A 文章编号：1000·6931(2012)04—0493一04 of Buncher ImproVementSingle-Drift CHEN Hong—tao，ZHAOFang (C^i船J雄“i￡Ⅳ招o，Afom打王kFrg了，P．()．Boz275—46，BP玎ing102413，Chi挖口) For thenanosecondbeam’s theCockcroft- Abstract：extending of pulse energyrange in WaltonacceleratorChinaInstituteofAtomic newbuncher was Energy，a system Itmakesthe acceIeratorcan not 300keVnanosecond developed． provideonly pulse beambutalso100一400keVnanosecond beam． pulse words：Cockcroft—Walton buncher Key accelerator；nanosecondpulsebeam；singIe—drift 中国原子能科学研究院高压倍加器聚束装 1 单漂移聚束装置[2] 置Ⅲ为单漂移双间隙聚柬，它位于加速管后单漂移聚束装置由单漂移双间隙聚束器、 1 m、靶前3m处，与加速管前端的切割装置一真空腔及谐振回路3部分组成。图1所示为一起组成ns脉冲化系统，为先切割后聚束脉冲装适用的单漂移双间隙聚束器示意图(F为聚束置，切割的调制频率为1．5MHz，聚束频率为器焦距)，它由3个等径的金属圆筒构成，正弦 6MHz。原聚柬腔装置主要是为完成中子积分波聚束电压加到中间的圆筒上，两边的圆筒接实验而设计的，其电极结构仅能对300keV的地，它有两个调制缝隙。为使粒子通过两个缝氘束进行最佳聚束。但随着核数据测量工作的