纳米硅管的掺杂.pdfVIP

第5卷第1期 材料研究与应用 V01．5，NO．1 2 01 MATERlALSRESEARCHANDAPPI。ICATION Mar．2 1年3月 Oll 文章编号：1673—9981(2011)01—0004—05 纳米硅管的掺杂* 裴立宅 (安徽工业大学材料科学与工程学院安徽省金属材料与加工重点实验室。安徽马鞍山 243002) 摘要：掺杂可以提高纳米硅管的高温稳定性及物理性能．从而制备出实用的纳米硅管基电子器件．系 统地论述了钴、铁、锰、镍、铍、硼及磷等元素在掺杂纳米硅管方面的理论研究现状与进展． 关键词：纳米硅管；掺杂；进展 中图分类号：TB383；TN304．1 文献标识码：A 硅是现代微电子工业中重要的基础材料之一， 现有的微电子类材料已不能满足电子器件小型化的 1 纳米硅管掺杂的理论研究 要求，所以新型的低维纳米材料的开发被提上了研 究日程．由于元素硅构成的纳米硅管具有尺寸小、半 1．1 钴掺杂 导体特性优良及与现代微电子工业相兼容等特点， 钴作为一种掺杂元素，可以与Si形成CoSi：晶 在电池材料、光电器件、自旋电子与磁性器件、传感 体，该晶体在高温下能够稳定存在，并具有很好的导 器、场发射显示屏、场效应晶体管等行业中有着广泛 电性．由于CoSiz的晶格常数与Si的很接近，因此 的应用前景，引起了人们的研究兴趣[1-2]．近年来，国 很容易与现有微电子工业相兼容[181． 内外的研究者已采用水热法‘}4|、模板法睁8I、电化学 目前，已有一些学者对钴掺杂纳米硅管的导电 溶液沉积法㈨、化学气相沉积法‘lO-,2]、电弧法‘¨]、热 特性进行了理论研究．He等人[18。”3借助自旋极化 蒸发[143及激光烧蚀[15]等方法成功地制备出了单晶、 密度泛函理论，研究了钴掺杂单壁纳米硅管的能量 多晶及非晶纳米硅管。在纳米硅管的制备方面已取 及电子结构．结果发现，将钴原子掺入纳米硅管的管 得了较大进展． 壁中，不仅使纳米硅管在300～1000K时可以稳定 随着纳米硅管研究的进展，目前研究方向已从 存在，而且还可调控纳米硅管的电子性能．这是由于 制备方面转向了基础应用方面，即提高纳米硅管的 自由式钴掺杂纳米硅管的卷曲诱导应力能的补偿作 性能，从而实现其应用．掺杂是半导体硅实现应用的 用，所以此种纳米管一般形成束状结构．通过理论研 有效方法，通过掺杂一定元素来改善半导体硅的性 究发现，纳米硅管的7c轨道、Si原子及Co原子之间 能，从而制备出实用的半导体器件．理论研究也表 的空间内有电子转移现象．说明此种纳米硅管具有 明[16“川，掺杂一定元素可以提高纳米硅管的稳定性、