多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响.docVIP

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2017-08-21 发布于重庆
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多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响.doc

本文由wujinfeng05贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。维普资讯《导体光电｝０７年１第２半２０Ｏ月８卷第５期　李伯海：多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响　　多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响　李伯海，福文，爱民，王艳艳，秦吴徐　茵，顾　彪　（连理工大学三束材料改性国家重点实验室，辽宁大连１６２）大１０４　摘　要：采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（Ｃ — ＥＶＤ）术，Ｓｌ　Ｈｚ　ＥＲＰｃ技以ｉ和　为气源，３０℃的低温条件下，普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜。主要考察了中间层对多晶　在５在硅薄膜沉积质量的影响。实验证明，中间层的沉积温度为３０℃ ，　当５Ｈ流量为２　ｃｍ时，到多０ｓｃ得　晶硅薄膜晶粒的直径最大，５　ｍ；随着中间层沉积温度的提高，为３ｎ且薄膜的结晶度提高。　关键词：多晶硅薄膜；中间层；ＥＲＰＣ　　Ｃ — ＥＶＤ中图分类号：ＴＮ３４０４文献标识码：Ａ０．５　文章编号：１０～５６（０７０ —０８ —０　０１８８２０）５６５５Ｉｆｕｎｅｏ　ｎｅｆｃ　ｙｒｏ　ｌｃｖｔｌｉｅＳｌｃｎＴｈｎＦｉｍ　ｎｌｅｃ　ｆＩｔｒａｅＬａｅ　ｎＰＯｖｒｓａｌｎ　ｉｉｏ　ｉ　ｌＬＩＢｏｈｉ　 — ａ，ＱＩＦｕｗｅ，ＷＵ　－ｎ，ＷＡＮＧ　ｎｙｎＮ　－ｎＡｉｍｉＹａ — ａ，ＸＵ　ｎ，ＧＵ　ｉｏＹｉＢａ　（ｔｔ　ｙＬａ．ｏ　ｔｒａＭｏｉｃｔｎｂ　ａｅ，ＩｎａｄＥｌｔｏ　ｅｍｓＳａｅＫｅ　ｂｆＭａｅｌｄｆａｉ　ｙＬｓｒｏ　ｎ　ｅｒｎＢａ，Ｄａｉ　ｎｖｒｉ　ｆＴｃｎｌｇｉ　ｉｏｃｌＵｉｅｓｔｏ　ｅｈｏｏｙ，Ｄａｉ　１０４ＨＮ）ｎａｙｌ１６２，Ｃｎａ　Ａｂｔａｔ　ｓｒｃ：Ｐｏｙｃｙｓａｌｎ　ｓｌｃｎｉｍｓ１ｒｔｌｉｅｉｉｏ　ｆｌ　ｗｅｅｅｏｓｔｄｒ　ｄｐｉｅ　ｏｎｌｓ　ｓｂｓｒｔｓｔ　ｇａｓｕｔａｅ　ａ　３５ ℃ ０ｂｙ　ｅｅｔｏ　ｙｌｔｏ　ｅｏａｃ　ｌｓａｅｈｎｅ　ｈｍｉａ　ａｏ　ｅｏｉｏ（ｌｃｒｎｃｃｏｒｎｒｓｎｎｅｐａｍ　ｎａｃｄｃｅｃｌｖｐｒｄｐｓｔｎＥＣＲ— ｉＰＥＣＶＤ）ｆｏａｒｍ　　Ｓｉ　ｎｄＨ２ｍｉｔｅＴｈ　ｆｅｔｏ　ｎｅｆｃ　ａｅ　ｎｔ　ｐｏｉｉ　ｆｐｙｒｔ１ｉ　ｉｉｏｎｆｌＨ４ａ　　ｘｕｒ．ｅｅｆｃ　ｆｉｔｒａｅｌｙｒｏ　ｈｅｄｅｓｔｏｎｏ　ｏ１ｃｙｓａ１ｎｅｓｌｃ　ｉｍ　ｂｙＥＣＲ— 　ＰＥＣＶＤ　ｓｓｕｄｅ．Ｔｈｅｅｐｒｍｅ　ｈｏ　ｈｔｗｈｅ　ｈｅｄｅｏｉｉ　ｅｅａｕｅａ　ｗａ　ｔｉｄ　ｘｅｉｎｔｓｗｓｔａ　ｎｔ　ｐｓｔｎｇｔｍｐｒｔｒ　ｎｄＨ２ｆｏｗ　ａｅｏ　ｈｅｉｔｒａｅｌｙｒａｅ３０ ℃ ａｄ２　ｃｍ，ｔ　ｏｙｃｙｓａ１ｎｅｓｌｏ　ｒｓａ　ａｎ　ｌｒｔ　ｆｔ　ｎｅｆｃ　ａｅ　ｒ　５ｎ　０ｓｃｈｅｐ１ｒｔ１ｉ　ｉｉｎｃｙｔｌｇｒｉ