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应变硅pMOS反型层中空穴迁移率kp及蒙特卡罗模拟研究.pdf
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
应变硅 反型层中空穴迁移率
及蒙特卡罗模拟研究
赵 寄 邹建平 谭耀华 余志平
清华大学微电子学研究所北京
摘要对应变硅 反型层中的空穴迁移率进行了理论研究 使用应力相关的 能带 模型自洽地求解
垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程获得反型层中二维空穴气的能带结构 采用蒙特卡罗方法对单轴
压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移率进行了模拟研究得出了沟道迁移率随垂直于沟道电场变化的曲线并
与常规的非应变硅 迁移率进行了比较 模拟结果显示无论是单轴压应力还是双轴张应力都使得空穴迁移
率增大 当单轴压应力沿着 沟道时迁移率增大的幅度最大平均增幅可达到 左右
关键词应变硅迁移率 方法蒙特卡罗模拟
中图分类号 文献标识码 文章编号
为 节点 工艺中首选的迁移率增强方
引言 法 单轴压应力可以更大程度地提高空穴的迁
移率 通过外延生长 源漏区可以在沟道中引入
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