标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究.pdfVIP

SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS 　Vol . 30 No. 1 Feb. 2009 光电器件 标准 CMOS 工艺下单片集成光接收芯片的研究 陈　伟 , 程 　翔 , 卞剑涛 , 陈　朝 , 芦 　晶 ( 厦门大学 机电工程系 ,福建 厦门 361005) ( ) 摘 　要 : 　设计了与标准 CMO S 工艺兼容的 850 nm 空间调制 Sp atially Mo dulat ed ,SM 结构 光电探测器 ,在分析器件物理模型的基础上 ,建立了 SP EC TR E 环境中等效电路的新模型 。提出标 准 CMO S 工艺下 SM 探测器与前置放大电路单片集成的电路设计 。仿真结果表明 ,在 850 nm 光 照下 ,SM 探测器带宽达到 400 M Hz ,并提供 62 mA/ W 的响应度 。整个集成芯片的工作速率为 400 Mb/ s ,增益为 0 . 81 kV/ W ,功耗为 9 1 mW 。 关键词 : 　光电集成 ; CMO S ; 空间调制结构 ; SP ICE 模型 ; 前置放大器 中图分类号 : TN 49 1 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2009) 0 1 - 0034 - 04 Monol ithically Integrated Optical Receiver with Spatially Modulated Optical Detector in CMOS Technology C H EN Wei , C H EN G Xiang , B IAN J iant ao , C H EN Chao , L U J ing ( Dept. of Mechanical and Electrical , Xiamen University , Xiamen 361005 , CHN) (λ ) Abstract : 　A monolit hically int egrat ed op tical receiver = 850 nm wit h sp atially mo dulat ed ( ) μ SM op tical det ector i s de signed in st andar d 0 . 5 m CMO S t echnolo gy , t he equivalent circuit mo del of t he SM light det ector i s built in t he SP EC TR E environment . Simulation re sult s show t hat t he SM op tical det ector re searche s a bandwidt h of 420 M Hz an d a re sp on sibilit y of 78 mA/ W . O EIC ha s a ban dwidt h of 400 Mb/ s and gain of 0 . 81 kV/ W wit h t he p ower di ssip atio n of 9 1 m W . Key words : 　O EIC ;