GaN材料键合技术研究进展.pdfVIP

5 半导体光电62003年第24 卷第6期 : GaN GaN 袁志军, 高文胜, 唐昕龙, 邢启江 ( , 100871) : GaN, 。 ,。GaN 。 : GaN; 外延片键合; 光电子集成 :TN304. 23 : A : 1001- 5868(2003)06- 0377- 05 Resear ch Advances in Wafer Bonding Technique of GaN Materia YUAN Zhi2jun, GAO en2sheng, TANGXin2long, XINGQi2jiang ( Sch oo of Physics, Pek in g Univer sity, Beij in g 100871, CHN) Abstract: The development of GaNmaterial and its optoelectronic devices is one ofthehot spots on optoelectronicresearch fields inrecent years, andwafer bondingtechnologyisan attractive fabricationmethod which hasthepotentialfor achieving desirable optoelectronic integration. It may also open up a new arrayof optoelectronic devices that are otherwisenot possibletoberealized by usingother growth techniques. In this paper, research advances and applications ofwafer bonding technology in the fields of GaN optoelectronic devices and its integration are outlined. Key words: GaN; wafer bonding; optoelectronic integration [4] 1 引言 高性能垂直腔面发射激光器 、InGaAs2Si 雪崩光电 [5] [6] 二极管 、高量子效率低暗电流光探测器 。利用 在一般异质结外延 长中,半导体材料之间高 键合技术可以把一衬底上外延 长的器件结构层转 的晶格失配和大的热膨胀系数差异将在异质结外延 移到另一个更为适合的衬底上实现所谓的- 层迁 片的界面上产 高密度的位错,这些位错从界面一 移. ,从而大大提高原器件的性能并且提高光电子器 直延伸到内部有源层, 导致光电子器件性能下降。 [7] 件设计和制作的灵活性 。利用键合与智能剥离 然而键合过程是由界面上分子间作用产 的,亦即 (Smart2cut)制作SOI 器件的技术已经趋于成熟并且 键合过程只发 在键合材料表面上。经实验研究证 [8]