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第四章??? 光电式传感器 ???? 第一节? 概述 第二节?? 外光电效应器件 第三节?? 内光电效应器件 第四节?? 新型光电传感器 第五节?? 光敏传感器的应用举例 光敏三极管的主要特性： 光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的波长缩短时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，并且在表面激发的电子空穴对不能到达PN结，因而使相对灵敏度下降。 （1）光谱特性 相对灵敏度/% 硅 锗 入射光 λ/? 4000 8000 12000 16000 100 80 60 40 20 0 硅的峰值波长为9000?，锗的峰值波长为15000?。由于锗管的暗电流比硅管大，因此锗管的性能较差。故在可见光或探测赤热状态物体时，一般选用硅管；但对红外线进行探测时,则采用锗管较合适。 0 500lx 1000lx 1500lx 2000lx 2500lx I/mA 2 4 6 20 40 60 80 光敏晶体管的伏安特性 （2）伏安特性 光敏三极管的伏安特性曲线如图所示。光敏三极管在不同的照度下的伏安特性，就像一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。因此，只要将入射光照在发射极e与基极b之间的PN结附近，所产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶体管。光敏三极管能把光信号变成电信号，而且输出的电信号较大。 U/V 光敏晶体管的光照特性 I / μA L/lx 200 400 600 800 1000 0 1.0 2.0 3.0 （3）光照特性 光敏三极管的光照特性如图所示。它给出了光敏三极管的输出电流 I 和照度之间的关系。它们之间呈现了近似线性关系。当光照足够大(几klx)时，会出现饱和现象，从而使光敏三极管既可作线性转换元件，也可作开关元件。 暗电流/mA 光电流/mA 10 20 30 40 50 60 70 T /oC 25 0 50 100 0 200 300 400 10 20 30 40 50 60 70 80 T/oC 光敏晶体管的温度特性 （4）温度特性 光敏三极管的温度特性曲线反映的是光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲线可以看出，温度变化对光电流的影响很小，而对暗电流的影响很大．所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。 （5）光敏三极管的频率特性 光敏三极管的频率特性曲线如图所示。光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。对于锗管，入射光的调制频率要求在5kHz以下。硅管的频率响应要比锗管好。 0 100 1000 500 5000 10000 20 40 60 100 80 RL=1kΩ RL=10kΩ RL=100kΩ 入射光调制频率 / HZ 相对灵敏度/% 图4.3-15光敏晶体管的频率特性 一、光敏电阻开关电路 10.5 光电转换电路 二、二极管和三极管的基本电路 10.6 光电传感器应用 光电式带材跑偏仪由光电式模拟传感器和晶体管放大器两部分组成。 光电式边缘位置传感器由白炽灯光源、光学系统和光电器件组成，其结构如图l0．30所示。 白帜灯l所发出的光经过双凸透镜2会聚，然后由半透反射镜3反射使光路折转90度，经半凸透镜4会聚后成平行光束。这光束由带材遮挡一部分，另一部分射到角矩阵反射镜6后被反射，又经透镜4、半透反射镜3和双凸镜7会聚于光敏晶体管8上。 当带材处于平行光束的中间位置时，电桥处于平衡状态。其输出信号为0。当带材向左偏移时遮光面积减少，角矩阵反射回去的光通量增加，输出电流信号为+△I；带材向右偏移时．光通量减小，输出电流信号为－ △ I，这个电流变换由放大器放大，作为控制电流信号，通过执行机构纠正带材的偏： 10.6.2 光电式转速表 分类：透射式和反射式两种。 1、透射式光电转速表。 2、反射式光电转速表。 光电转速传感器原理图 2 3 1 2 3 1 (a) (b) 光电数字式转速表工作原理图 下图是光电数字式转速表的工作原理图。 图(a)是在待测转速轴上固定一带孔的转速调置盘，在调置盘一边由白炽灯产生恒定光，透过盘上小孔到达光敏二极管组成的光电转换器上，转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转速由该脉冲频率决定。 在待测